如何根据输出特性曲线绘制转移特性曲线?
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发布时间：2024-10-01 00:32
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热心网友
时间：2024-10-12 03:26
转移特性曲线描绘了在vDS恒定时，iD与vGS之间的关系，展示了栅源电压对漏极电流的控制作用。
从输出特性曲线中，通过在图XX_01中作vDS=10V的垂直线，与各曲线交点对应iD和vGS的值，即可构建转移特性曲线，如图XX_02(a)所示。不同vDS值下的特性曲线在饱和区（vDS≥|vp|，图中为vDS≥5V）趋于重合，此时iD对vDS的变化不敏感，可用单一曲线表示。饱和区的iD近似公式为：(VP<vGS≤0)，IDSS为饱和漏极电流，即vGS=0且vDS≥|vp|时的电流值。
夹断电压VP是当vDS固定（如10V）且iD极小（如50mA）时的栅源电压。饱和漏极电流IDSS在预夹断状态下，vGS为0时的漏极电流，对结型场效应管来说，它也是最大输出电流。直流输入电阻RGS是在短路条件下栅源间的电阻，低频跨导gm反映了栅源电压对电流的控制能力，与工作电流有关。
在放大应用中，场效应管在饱和区，gm可通过相关公式求得。输出电阻rd则衡量了vDS对iD微小变化的影响，但在饱和区，rd数值很大。极间电容Cgs、Cgd和Cds影响电路在高频情况下的性能，最大漏源电压V(BR)DS和最大栅源电压V(BR)GS分别对应击穿条件下的电压值。漏极最大耗散功率PDM需控制在安全范围内，以防止过热。结型场效应管的噪声系数非常低，可达到1.5dB以下。
扩展资料
最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN结的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也称JFET。
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时间：2024-10-12 03:26
转移特性曲线描绘了在vDS恒定时，iD与vGS之间的关系，展示了栅源电压对漏极电流的控制作用。
从输出特性曲线中，通过在图XX_01中作vDS=10V的垂直线，与各曲线交点对应iD和vGS的值，即可构建转移特性曲线，如图XX_02(a)所示。不同vDS值下的特性曲线在饱和区（vDS≥|vp|，图中为vDS≥5V）趋于重合，此时iD对vDS的变化不敏感，可用单一曲线表示。饱和区的iD近似公式为：(VP<vGS≤0)，IDSS为饱和漏极电流，即vGS=0且vDS≥|vp|时的电流值。
夹断电压VP是当vDS固定（如10V）且iD极小（如50mA）时的栅源电压。饱和漏极电流IDSS在预夹断状态下，vGS为0时的漏极电流，对结型场效应管来说，它也是最大输出电流。直流输入电阻RGS是在短路条件下栅源间的电阻，低频跨导gm反映了栅源电压对电流的控制能力，与工作电流有关。
在放大应用中，场效应管在饱和区，gm可通过相关公式求得。输出电阻rd则衡量了vDS对iD微小变化的影响，但在饱和区，rd数值很大。极间电容Cgs、Cgd和Cds影响电路在高频情况下的性能，最大漏源电压V(BR)DS和最大栅源电压V(BR)GS分别对应击穿条件下的电压值。漏极最大耗散功率PDM需控制在安全范围内，以防止过热。结型场效应管的噪声系数非常低，可达到1.5dB以下。
扩展资料
最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN结的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也称JFET。
