p沟道mos管怎么实现场效应

发布网友发布时间：2022-05-01 04:06

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热心网友时间：2022-06-24 06:07

金属氧化物半导体场效应（MOS）晶体管可分为N够道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两级之间不通导，栅极上有足够的正电压（源极接地）时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

热心网友时间：2022-06-24 06:07

其实和NMOS的工作原理一样，由栅电压来控制沟道，漏电压来控制电流。只是PMOS的参数都是负值。