求助,stm32的flash这样用貌似有点问题

有，很多。STM32系列单片机有FSMC外设的都可以，如STM32F103增强型系列单片机就有。使FSMC接口与NANDFlash接口对接，软件上也很好实现。

你检查一下代码，看看是否存在一下问题：看看写flash前是否已经解锁flash，写完后是否完成上锁。你写入flash的地址是否正确，不能超出flash地址范围（不同芯片范围大小是不一样的）。写入数据是否按要求字节倍数写入？（比如STM32F10x系列的每次写flash的字节数必须是2字节的整数倍，即按照16位进行写入）

STM32内部Flash模拟EEPROM具有以下缺点：1、速度较慢： STM32内部Flash模拟EEPROM的读写速度比真正的EEPROM慢得多。这是因为Flash模拟EEPROM需要模拟EEPROM的硬件电路，并且需要CPU进行控制和管理。2、可靠性较低： STM32内部Flash模拟EEPROM的可靠性较低。这是因为Flash模拟EEPROM需要CPU进行控制和管理，如果CP...

在你的Keil中查看Option->Target中IROM的Start地址是多少，因为你的镜像是烧当在FLASH中的 假设是0x0800 0000, 即你的镜像烧录在的起始地址为0x0800 0000，而你的程序又写了0x0800 3000，相当于把自己写死了，当然复位拔电不行啊，因为烧录后的镜像被你破坏了 至于0x0800 3000可以，是因为你的镜像...

这样就还有一个问题，理论上，CM3中规定上电后CPU是从0地址开始执行，但是这里中断向量表却被烧写在0x0800 0000地址里，这是因为STM32的Flash是从0x0800 0000开始才有。但SMT32也不能破坏ARM定下的“规矩”，所以它做了一个启动映射的过程，就是和芯片上总能见到的BOOT0和BOOT1有关了，当选择从主...

flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1。所以如果原来的地址有数据了，意味着有一些位为0，这些位就相当于无效了。所以必须写之前确保他们都为1，只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除一个4K大小的扇区，这是flash的特性所决定的。

1.STM32的Flash不是NandFlash. NandFlash的位跳转比较厉害，必须加上一定的校验和备份机制才能很好地应用。2.STM32的Flash可以用于存储代码，也可以用于存储数据。一般来说我们会将代码保存在从Flash开始的区域中，余下的部分用来保存数据（你的参数就可以保存在这个部分，该部分的大小取决于Flash的大小和...

写之前你擦除了没，flash必须写之前擦除才能写进去，否则是不会成功的，有两种办法，1、你把这两种数据定义在不同扇区，2、定义在一个扇区，但是一旦一个变化，两个都要重新擦除重新写。

是不是出现“非法操作”了？，写Flash前要先解锁，写数据时要保证写入地址是在可写的地址范围内，写完后记得上锁，应该是这样的流程才对。

可以关闭，也可以不关闭，因为写flash期间，中断是不会被响应的。相当于你进入了一个等级很高的中断中，这个中断无法被其他可屏蔽中断所中断。