发布网友 发布时间:2024-05-09 10:25
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热心网友 时间:2024-07-15 08:56
有,很多。STM32系列单片机有FSMC外设的都可以,如STM32F103增强型系列单片机就有。使FSMC接口与NANDFlash接口对接,软件上也很好实现。有,很多。STM32系列单片机有FSMC外设的都可以,如STM32F103增强型系列单片机就有。使FSMC接口与NANDFlash接口对接,软件上也很好实现。
STM32写flash怎么总是写不进你检查一下代码,看看是否存在一下问题:看看写flash前是否已经解锁flash,写完后是否完成上锁。你写入flash的地址是否正确,不能超出flash地址范围(不同芯片范围大小是不一样的)。写入数据是否按要求字节倍数写入?(比如STM32F10x系列的每次写flash的字节数必须是2字节的整数倍,即按照16位进行写入)
stm32内部flash模拟eeprom缺点STM32内部Flash模拟EEPROM具有以下缺点:1、速度较慢: STM32内部Flash模拟EEPROM的读写速度比真正的EEPROM慢得多。这是因为Flash模拟EEPROM需要模拟EEPROM的硬件电路,并且需要CPU进行控制和管理。2、可靠性较低: STM32内部Flash模拟EEPROM的可靠性较低。这是因为Flash模拟EEPROM需要CPU进行控制和管理,如果CP...
请教一个stm32的flash写入问题。我从0x08003800地址写入没问题,但是从...在你的Keil中查看Option->Target中IROM的Start地址是多少,因为你的镜像是烧当在FLASH中的 假设是0x0800 0000, 即你的镜像烧录在的起始地址为0x0800 0000,而你的程序又写了0x0800 3000,相当于把自己写死了,当然复位拔电不行啊,因为烧录后的镜像被你破坏了 至于0x0800 3000可以,是因为你的镜像...
stm32 学习困惑这样就还有一个问题,理论上,CM3中规定上电后CPU是从0地址开始执行,但是这里中断向量表却被烧写在0x0800 0000地址里,这是因为STM32的Flash是从0x0800 0000开始才有。但SMT32也不能破坏ARM定下的“规矩”,所以它做了一个启动映射的过程,就是和芯片上总能见到的BOOT0和BOOT1有关了,当选择从主...
stm32写flash一定要擦除一页吗flash存储器有个特点,就是只能写0,不能写1。所以如果原来的地址有数据了,意味着有一些位为0,这些位就相当于无效了。所以必须写之前确保他们都为1,只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除一个4K大小的扇区,这是flash的特性所决定的。
stm32的flash做什么用1.STM32的Flash不是NandFlash. NandFlash的位跳转比较厉害,必须加上一定的校验和备份机制才能很好地应用。2.STM32的Flash可以用于存储代码,也可以用于存储数据。一般来说我们会将代码保存在从Flash开始的区域中,余下的部分用来保存数据(你的参数就可以保存在这个部分,该部分的大小取决于Flash的大小和...
写stm32内部Flash 第一次写进去了,再往别的地址里面写的时候原来写的...写之前你擦除了没,flash必须写之前擦除才能写进去,否则是不会成功的,有两种办法,1、你把这两种数据定义在不同扇区,2、定义在一个扇区,但是一旦一个变化,两个都要重新擦除重新写。
求助,stm32 flash写操作死机,手动复位NRST脚无效,必须重新上电_百度...是不是出现“非法操作”了?,写Flash前要先解锁,写数据时要保证写入地址是在可写的地址范围内,写完后记得上锁,应该是这样的流程才对。
STM32写flash的时候需要关闭中断吗可以关闭,也可以不关闭,因为写flash期间,中断是不会被响应的。相当于你进入了一个等级很高的中断中,这个中断无法被其他可屏蔽中断所中断。