俄歇效应的俄歇复合

俄歇复合是半导体中一个类似的俄歇现象：一个电子和空穴（电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。

俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合（Shockley-Hall-Read复合）。Aug...

【俄歇效应】(Auger effect)，简称AES。名词解释：（物理方面）是原子发射的一个电子导致另一个或多个电子(俄歇电子)被发射出来而非辐射X射线(不能用光电效应解释)，使原子、分子成为高阶离子的物理现象，是伴随一个电子能量降低的同时，另一个(或多个)电子能量增高的跃迁过程，最后使原子处于双电离状...

复合效应的挑战:非辐射复合: 俄歇复合，包括直接和间接过程，以及量子阱体积效应，都降低了复合效率。电子泄漏: 极化效应、空穴注入效率低、电流拥挤和电子过冲影响电子-空穴复合的效率。量子限制斯塔克效应: 高In含量增加压应变，电子-空穴复合困难，降低发光效率和开启电压 [12]。要提升红光LED的性能，需...

导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为：大注入效应和基区扩展效应。发射区重掺杂效应：当发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。原因为：发射区禁带变窄和俄歇复合增强。

态密度对电荷传导的影响也被忽视。电荷复合包括辐射与非辐射过程，非辐射过程如俄歇复合与加热效应，可能因电荷注入不均衡或界面势垒导致的电荷积累加剧。电荷积累还会导致额外电压/能量消耗，显著降低QLED功率效率，尤其是高驱动电压条件下。因此，从发光效率角度，有效管理QLED内电荷过程至关重要。

俄歇复合 是半导体中一个类似的俄歇现象：一个 电子和空穴 （电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。

俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合（Shockley-Hall-Read复合）。

是的。俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴X射线或γ射线辐照到物体上时，由于光子能量很高，能穿入物体，使原子内壳层上的束缚电子发射出来发光并不显现。

扩展一：俄歇电子能谱，是用X射线或高能电子束来产生俄歇电子，测量其强度和能量的关系而得到的谱线。其结果可以用来识别原子及其原子周围的环境。扩展二：俄歇复合是半导体中一个类似的俄歇现象：一个电子和空穴（电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作...