电路设计中,dummy的作用
发布网友
发布时间：2022-04-29 17:24
共4个回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件。
扩展资料：
在匹配电路的mos管左右画上mmy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，mmy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。
金属层mmy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的mmy也是横走向。
多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻mmy的lvs报错，把nimp和Rpmmy层移出最边缘的电阻，不要覆盖mmy。
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件。
扩展资料：
在匹配电路的mos管左右画上mmy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，mmy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。
金属层mmy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的mmy也是横走向。
多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻mmy的lvs报错，把nimp和Rpmmy层移出最边缘的电阻，不要覆盖mmy。
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
mmy的作用是：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入mmy metal、mmy poly、mmy diff等；
2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上mmy res和mmy cap等，以及关键MOS附近加mmy MOS等；
3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上mmy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加mmy cap也有类似的作用。
【作用】：
【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
【MOS mmy】：在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
【RES mmy】：类似于MOS mmy方法增加mmy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
【 CAP mmy】： 增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
mmy的作用是：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入mmy metal、mmy poly、mmy diff等；
2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上mmy res和mmy cap等，以及关键MOS附近加mmy MOS等；
3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上mmy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加mmy cap也有类似的作用。
【作用】：
【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
【MOS mmy】：在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
【RES mmy】：类似于MOS mmy方法增加mmy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
【 CAP mmy】： 增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
1，MOS mmy
在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
3, CAP mmy
增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。
来自：求助得到的回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件。
扩展资料：
在匹配电路的mos管左右画上mmy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，mmy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。
金属层mmy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的mmy也是横走向。
多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻mmy的lvs报错，把nimp和Rpmmy层移出最边缘的电阻，不要覆盖mmy。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
1，MOS mmy
在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
3, CAP mmy
增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。
来自：求助得到的回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
mmy的作用是：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入mmy metal、mmy poly、mmy diff等；
2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上mmy res和mmy cap等，以及关键MOS附近加mmy MOS等；
3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上mmy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加mmy cap也有类似的作用。
【作用】：
【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
【MOS mmy】：在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
【RES mmy】：类似于MOS mmy方法增加mmy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
【 CAP mmy】： 增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
1，MOS mmy
在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
3, CAP mmy
增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。
来自：求助得到的回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件。
扩展资料：
在匹配电路的mos管左右画上mmy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，mmy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。
金属层mmy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的mmy也是横走向。
多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻mmy的lvs报错，把nimp和Rpmmy层移出最边缘的电阻，不要覆盖mmy。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
mmy的作用是：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入mmy metal、mmy poly、mmy diff等；
2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上mmy res和mmy cap等，以及关键MOS附近加mmy MOS等；
3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上mmy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加mmy cap也有类似的作用。
【作用】：
【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
【MOS mmy】：在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
【RES mmy】：类似于MOS mmy方法增加mmy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
【 CAP mmy】： 增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
1，MOS mmy
在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
3, CAP mmy
增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。
来自：求助得到的回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件。
扩展资料：
在匹配电路的mos管左右画上mmy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，mmy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。
金属层mmy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的mmy也是横走向。
多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻mmy的lvs报错，把nimp和Rpmmy层移出最边缘的电阻，不要覆盖mmy。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
热心网友
时间：2023-10-23 09:19
mmy的作用是：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入mmy metal、mmy poly、mmy diff等；
2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上mmy res和mmy cap等，以及关键MOS附近加mmy MOS等；
3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上mmy routing layer后者mmy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上mmy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加mmy cap也有类似的作用。
【作用】：
【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
【MOS mmy】：在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
【RES mmy】：类似于MOS mmy方法增加mmy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
【 CAP mmy】： 增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为mmy layer。有些mmy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal mmy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
1，MOS mmy
在MOS 两侧增加mmy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
3, CAP mmy
增加mmy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。
来自：求助得到的回答
热心网友
时间：2023-10-23 09:20
