低压MOCVD和常压MOCVD

通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。参考：http://baike.baidu.com/view/997070.htm ...

在MOCVD系统中，晶体生长通常在常压或低压（10-100Torr）条件下，在通入H2的冷壁石英（或不锈钢）反应室中进行。衬底温度通常为500-1200℃，通过射频感应加热石墨基座来实现，而H2则通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物至生长区。MOCVD技术的核心在于其高效、精确的晶体生长能力，这使得它成为制造高质...

化学气相沉积（CVD）是一种薄膜工艺，通过气相化学反应在基体表面沉积出各种固体薄膜。CVD系统种类繁多，包括常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、UHVCVD、LCVD、MOCVD、PECVD等，每种方法都有其独特特点和应用领域。APCVD以其高沉积速率和连续生产适用于芯片保护层，但可能面临粉尘问题；LPCVD在低压力环境下...

MOCVD是以_、_族元素的有机化合物和_、_族元素的氢化物为晶体生长源材料，在衬底上通过热分解反应生长各种_-_族、_-_族化合物半导体及其多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长是在常压或低压(10-100Torr)下，在带有H2的冷壁应时(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，石墨基底...

CVD技术的分类方式多样，主要依据反应类型和压力，包括低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)和快速热CVD(RTCVD)。此外，金属有机物CVD(MOCVD)根据金属源的特性区分，金属通常以液态存在，需要在气化后导入，但有人...

MOCVD 设备是制作LED外延片的关键设备，而LED外延片的水平决定了整个LED产业的水平。我国于2003年正式实施“国家半导体照明工程”，并在“十五”、 “十一五”重点攻关课题和“863”计划中，将MOCVD设备国产化列入重点支持方向。在国家策的支持下，“十五”期间，我国在MOCVD设备国产化方面已取得了初步成效...

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入...

大气压化学气相沉积（APCVD）在大气压下进行，操作相对简单，但可能影响膜的均匀性。此方法通常在较高温度下进行（几百至一千摄氏度），适用于沉积硅酸盐玻璃（如PSG）和多晶硅等。金属有机化学气相沉积（MOCVD）专用于制造III-V族半导体材料，如氮化镓、磷化铝、磷化铟、砷化镓等。MOCVD利用有机金属化合物...

MOCVD，全称为金属有机化合物化学气相淀积，是一种先进的半导体材料生长技术，尤其适用于Ⅲ-V族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的外延生长。它以有机化合物和氢化物为原料，在衬底上通过热分解反应实现薄膜单晶材料的生长，通常在低压力的反应室内进行，如Aixtron、Emcore和Thomas等知名厂商的系统中，反应室设计各异...

MOCVD是“金属有机化合物化学气相沉积”的缩写，它是一种新型的气相外延生长技术，是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的。MOCVD的主要特点是使用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，通过热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物...