功率半导体器件之IGBT技术及市场发展概况及车规级功率半导体器件AEC...

发布网友发布时间：2024-10-22 21:21

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热心网友时间：2024-10-22 23:43

功率半导体器件中的核心技术——IGBT，是一种复合型功率器件，其在电力电子领域占据重要地位。IGBT由BJT和MOSFET组成，结合两者优点，优化了转换效率和控制性能，被誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、家电和新能源等多个领域。

IGBT的内部结构独特，由集电极、发射极和栅极构成，栅极上覆盖有二氧化硅层，其工作原理通过控制栅极电压来控制电路的开启和关闭。产品形式多样，包括单管、模块和智能功率模块，分别适用于不同功率需求和应用环境，如家用电器、工业变频器和新能源汽车。

IGBT技术自20世纪80年代起不断进步，经历了7代升级，指标如功率、电压和损耗等均有显著提升。全球市场规模逐年增长，尤其在工业控制和新能源汽车领域需求强劲。我国IGBT市场发展迅速，产需量大幅增加，国产化率仍有提升空间，竞争格局主要由国际大厂主导，本土企业如斯达半导和华微电子等在特定电压段有所布局。

在汽车应用中，IGBT模块需通过严苛的AEC-Q101认证，该认证旨在确保产品在极端环境下的可靠性和耐用性，测试流程涉及众多耐久性测试，如功率循环和温度循环。华碧实验室作为专业第三方检测机构，为汽车IGBT企业提供车规级认证服务。