光刻工艺流程(精简版)

发布网友发布时间：2024-09-26 18:13

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热心网友时间：2024-10-04 03:18

光刻工艺流程，是半导体器件制造的关键步骤，通过精简版介绍，我们来探讨这一复杂过程。

首先，预处理衬底至关重要。它包括清除表面杂质，增强光刻胶附着力，如亲水性衬底上使用增附剂AR 300-80，通过化学反应强化粘合。若需恢复亲水性，可采用碱性处理或等离子体刻蚀。

涂胶阶段，使用旋转涂胶或喷涂，要求在室温下操作以防止冷凝水汽。确保光刻胶无气泡，多次旋涂需进行烘烤冷却以控制膜层厚度和均匀性。

前烘目的包括去除溶剂、增强粘性，常用热板或烘箱，但需避免欠烘和过烘带来的影响。低温前烘适用于对温度敏感的材料，烘烤后需冷却待用。

曝光是核心环节，包括掩膜对准式、步进投影式和激光/电子束直写。曝光剂量需根据光刻胶类型调整，电子束曝光需注意导电性改进。

后烘在曝光后进行，有助于光化学反应，特别是对于化学放大胶和特殊反射衬底。显影过程对温度、显影液和方式敏感，需选择适合的显影液进行。

定影则是显影过程的终止，紫外光刻胶用水冲洗，电子束胶则需特定定影液。坚膜则为提高胶膜附着力和抗蚀性，但需控制温度以免损伤胶膜。

图形转移涉及金属剥离、刻蚀、LIGA和离子注入，去胶则采用湿法和干法，根据衬底材料选择适宜方法，以确保工艺效果和样品保护。

以上就是光刻工艺流程的精要概述，如有更多疑问，欢迎留言交流。