单结晶体管应用

发布网友发布时间：2024-09-26 08:10

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热心网友时间：2024-10-22 09:29

单结晶体管因其出色的脉冲电流处理能力和简单的电路结构，在开关应用中表现出广泛应用，特别是在定时电路和触发SCR等场景。其开关特性以极高的温度稳定性著称，几乎不受温度变化影响。

图4所示的单结晶体管振荡电路是一个典型的例子。在无输入信号时，电路能输出恒定频率和幅度的电压或电流信号。当电路接通电源，电容C开始充电，电压逐渐增大。当电压达到峰点电压UP时，单结晶体管进入负阻区，导致输入电阻骤降，电容迅速放电。当电压下降到谷点Uv，管子再次截止，电容重新充电，形成持续的振荡。由于充电时间常数远大于放电时间常数，电容上的电压波形如图4(b)所示。

为了确保单结晶体管在使用中的可靠性，需注意以下几点：

在第二基极B2上串联一个限流电阻R2，以*单结晶体管的峰值功率，防止过载。
当电路中的电容CT或峰值电压VP较高时，应在CT上串联保护电阻，保护发射极B1，如CT大于10μF或VP大于30V，应考虑增加适当阻值的电阻，至少每1μF电容串联1Ω电阻，避免大电容放电电流对元件造成损害。
在某些应用中，通过在基极B2或发射极E与二极管串联，可以提升温度稳定性和抵抗电源电压变化的影响。
单结晶体管和硅可控整流器的抗辐射性能较差，因此不推荐在辐射环境使用。

扩展资料

单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图所示。