二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解

发布网友发布时间：2024-09-25 19:00

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热心网友时间：2024-10-25 05:06

初入电子领域，面对形形色色的二极管类元器件，如晶闸管、MOS管、IGBT等，常常让人感到困惑。本文将针对这些元器件的特征、原理及区别进行详细讲解，并对同种元器件的不同称呼进行剖析，帮助读者更好地理解这些元器件。

1. 二极管

二极管具有单向导电性，即正向电压下导通，反向电压下截止。其原理基于PN结的单向导电性，通过引线和封装形成。正向电压下，载流子扩散电流增加，产生正向电流；反向电压下，反向饱和电流与反向偏置电压值无关。当反向电压足够高时，PN结发生击穿，产生反向击穿电流。

2. 三极管

三极管，又称双极型晶体管，主要有硅NPN和锗PNP两种。其由N型和P型半导体组成，发射结和集电结分别形成。发射极电子流通过发射结和集电结，实现电流放大。

3. 晶闸管

晶闸管，又称可控硅，由四层半导体材料组成，有三个电极：阳极A、控制极G和阴极K。控制极通过触发脉冲使晶闸管导通，断开阳极电源或降低阳极电流可以使其关断。

4. MOS管

MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管。具有高输入电阻，分为N沟道管和P沟道管。通过栅极电压控制沟道电流，实现电路控制。

5. IGBT

IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成。具有低导通电阻和高耐压特性，适用于低频及较大功率场合。

6. MOS管与IGBT的区别

MOSFET具有高频特性好，但导通电阻大，功耗较大；IGBT在低频及较大功率场合表现卓越，导通电阻小，耐压高。