江崎玲于奈研究历程
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发布时间：2024-09-29 05:55
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时间：2024-11-24 03:57
1944年，江崎玲于奈在日本东京帝国大学开始了她的实验物理学研究生涯，专注于晶体管材料，如锗和硅的半导体研究。1947年，她获得了硕士学位，随后在神户工业股份有限公司任职，她的工作重点转向了高掺杂锗和硅的领域。这一系列研究的突破性成果最终带来了1956年她在东京通信工业（索尼现在的前身）担任主任研究员时的隧道二极管发明。
隧道现象，一种经典理论认为不可能的现象，即电子能够穿越看似无法逾越的能量势垒，早在20世纪20年代就被发现。然而，30年代量子力学发展初期，理论预测与实验结果的矛盾使得隧道效应的应用面临挑战。五十年代，半导体PN结的出现重新激发了对隧道过程的研究。江崎的研究揭示了PN结反击穿时可能存在的隧道效应，她在研制高频晶体管时意外地观察到了负阻现象，这是隧道效应的实验证据。
1958年，她发表了关于“隧道二极管”的论文，这一突破性成果为她赢得了诺贝尔物理学奖的提名。随后，她继续深化对这一发明的理解，并因“江崎二极管”的发明获得了日本物学会的仁科芳雄纪念奖。她在半导体和超导体领域对“隧道效应”的贡献，使得她在1973年与他人共同荣获诺贝尔物理学奖。1974年，日本*为她的杰出贡献授予了文化勋章。
江崎博士的学术成就得到了国际认可，1975年她当选为日本科学院院士，1976年成为美国国立科学院院士，1977年又成为美国工程科学院院士。她的研究历程无疑为电子学领域带来了深远的影响。
扩展资料
江崎玲于奈1925年3月12日出生于日本大阪，1940年就读于京都第三高等学校，1947年毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社（现索尼）。1973年因在半导体中发现电子的量子穿隧效应获得诺贝尔物理学奖。
