江崎玲于奈基本信息

发布网友发布时间：2024-09-29 05:55

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热心网友时间：2024-11-24 04:11

江崎玲于奈，1925年3月12日诞生于日本大阪，其父是著名的建筑学家江崎壮一郎，他本人则在学术领域崭露头角。1940年，他进入京都第三高等学校求学，四年后，继续深造，于1944年进入了东京帝国大学。在那里，他的学术生涯注定将与固体物理学紧密相连。

在20世纪50年代，学术界普遍认为，在PN结反向击穿的过程中应该能观察到隧道效应，然而实验却一直未能证实这一理论。然而，命运的转折点在1957年出现。当时，江崎玲于奈在研发新型高频晶体管的过程中，意外地在高掺杂、窄PN结的正向伏安特性中发现了一个令人惊奇的现象——负阻效应。通过对这一现象的深入分析，他提出电子空穴可以直接穿透结区，这一理论为隧道效应的存在提供了强有力的证据。

他的这一发现促使他进一步研究，最终发明了由隧道结制成的隧道二级管，这一创新性的发明开启了固体物理学中一个全新的领域——固体中的隧道效应研究。江崎玲于奈的贡献不仅推动了科学的进步，也为后来的科研工作者提供了宝贵的启示。

扩展资料

江崎玲于奈1925年3月12日出生于日本大阪，1940年就读于京都第三高等学校，1947年毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社（现索尼）。1973年因在半导体中发现电子的量子穿隧效应获得诺贝尔物理学奖。