发布网友 发布时间:2024-09-29 20:26
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热心网友 时间:2024-10-13 23:07
高通骁龙653/660性能解析
在手机处理器领域,高通凭借其技术和专利优势引领市场,新品发布总能引起热议。近期,高通在香港的技术峰会上不仅揭示了新基带和5G技术,还曝光了包括骁龙653、626、427在内的多款中端新品,以及备受瞩目的骁龙660处理器和旗舰骁龙835。接下来,让我们深入了解这些处理器的具体参数:
骁龙653:作为MSM8976 Pro,4核A72+4核A53设计,主频提升至1.95GHz,相比652的1.8GHz有所增强。GPU为Adreno 510,性能提升约10%。内存升级至8GB,基带升级至LTE X9,上传速度提升至150Mbps,支持快速充电技术QC3.0。
骁龙626:MSM8953 Pro版本,2.2GHz主频的提升让其性能有所提升,基带升级为LTE X9,蓝牙4.2支持,14nm制程,同样支持QC3.0快充。
骁龙427:提升明显,4个A53核心,主频1.4GHz,图形处理器升级为Adreno 308,内存LPDDR3,基带从X6升级到X9,支持双摄和快充技术。
骁龙660:接续652/653的接力棒,A73+A53架构,传闻采用Kryo架构,4*2.2GHz+4*1.9GHz,支持双通道LPDDR 4x内存。基带提升至LTE X10,GPU升级为Adreno 512,快充技术升级至QC4.0。
骁龙835:高端定位的MSM 8998,采用Kryo 200 4+4架构,三星10nm制程,支持四通道LPDDR 4x。基带升级至LTE X16,GPU为Adreno 540,预示着三星Galaxy S8等旗舰将搭载,同样支持QC4.0快充。