什么是RAM Timing?与Frequency一个意思么?

发布网友发布时间：2024-09-30 09:35

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热心网友时间：2024-10-13 12:59

在选购电脑内存时，容量和频率是大家关注的重点，但还有一个容易被忽视的参数：内存时序。那么，什么是内存时序？它与频率有何区别呢？

内存时序指的是存储芯片上各种操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度，内存性能就会受到影响。简单来说，内存时序是对存储芯片内在执行各种操作时可能经历的固有延迟的描述。

内存时序以时钟周期为单位进行测量。在内存产品页面上，你可能会看到一串用破折号分隔的数字，如16-18-18-38，这些数字称为内存时序。本质上，它们代表延迟，时间越短越好。这四个数字代表所谓的“主要时序”，对延迟影响最显著。

四个内存时序对应的参数为CL、tRCD、tRP和tRAS，均以时间周期为单位。其中，CL（CAS Latency）表示“列地址访问的延迟时间”，是时序中最重要的参数；tRCD（RAS to CAS Delay）表示“存储器行地址传输到列地址的延迟时间”；tRP（RAS Precharge Time）表示“存储器行地址选择脉冲的预充电时间”；tRAS（RAS Active Time）表示“行地址有效的时间”。

我们可以将内存存储的数据想象成一个网格，每个方格存储不同的数据。确定了行数和列数后，就可以准确找到目标数据。因此，CL是时序中最关键的参数之一，对内存性能起着至关重要的作用。

RAM时序的第三个参数tRP是确定一行后等待另一行所需的时间。第四个参数tRAS可以简单理解为内存写入或读取数据的时间，一般接近前三个参数的总和。

因此，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。然而，我们知道现在很多内存条都可以超频，高频与低时序存在矛盾。一般而言，频率上升，时序就会牺牲。为了实现足够低的时序，提高频率难度很大。

例如，今年各大存储厂商发布的DDR5内存中，频率确实上去了，但时序相对于DDR4内存高了不少。