拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》总结

拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》一书中详细阐述了电路设计中的关键原理。首先，MOS管的Vgs控制了Ids，决定着沟道的导电特性，而沟道长度调制效应和衬底偏置效应则表明了Vds和衬底电位对Ids的影响。在运放电路中，共源、共栅和源跟随器各有其特性，选择取决于应用需求的增益、阻抗和相位要求。电流镜利用MOSF...

读完拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》，我有了深刻的感悟。曾经在大学时期，虽然多次购买这本书，但由于实用性驱动，未能深入阅读。直到研究生阶段，面对高频和微波理论，我才开始真正理解和欣赏拉扎维的理论深度。尽管早期阅读时感到困难和挫败，但随着年龄的增长，我发现阅读这本书就像回顾高中物理，带来恍然...

高效学习拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》并不只是逐章浏览，而是需要有策略和重点。首先，我们从第一章开始，虽然它可能以讲故事的形式导入，但理解作者的意图有助于建立全局视角。进入实质内容，第二章讲解的是基本原理，掌握Vds和Vgs变化对Ids的影响至关重要。理解各个工作区域，如线性区、深线性区和饱...

《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室...

一般小于开启电压的几十分之一就认为是小信号。我们大学的模拟电路书上有讲过晶体管,MOS的小信号模型,其后的运放,反馈的种种分析都是基于这些元件的小信号模型.当输入信号不再是小信号(大信号),小信号模型就不再适用.举个例子,MOS管的关系式Id=Vgs*gm.gm在一定范围内(既输入信号偏离静态工作点的...

我还特意去翻了一下，这里确实应该是RS+1/(gm+gmb)，你可以把小信号电路画出来，根据Rin=Vin/Iin来算一下输入电阻，我计算的输入电阻Rin就是Rs+1/(gm+gmb)，所以输入极点应该是RinCin，所以我也觉得拉扎维错了，个人的意见。

其编著的《模拟CMOS集成电路设计》一书更是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。其组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力...

为每个电路绘制时间变化曲线，NMOS和PMOS器件的电压与电流变化图，对于特定电路，电压在0至1.5V变化。绘制每个电路的电容和跨导与电压变化图，电压从0变化到最大值。绘制各电路时间变化曲线，图中显示电容的初始电压。MOSFET的传输频率定义，当源极和漏极保持交流接地状态时，器件的小信号电流增益降至1的...

而深入的理论学习和实践应用将帮助我们更好地掌握这个原理。让我们一起继续探索，深化对自动控制原理的理解。毕查德・拉扎维，《模拟CMOS集成电路设计》，西安交通大学出版社, 2018胡寿松，《自动控制原理》，第7版，科学出版社, 2019卢京潮，《自动控制原理》，西北工业大学出版社, 2004 ...

持续更新~本文是对书中（《模拟CMOS集成电路设计》中文 第二版 拉扎维）的常见问题、部分课后习题和书中常出现的“为什么？”进行的个人解答（其实就是学习笔记），仅供参考，若有错误，请评论交流指正。正文P125.复合器件的等效长度为2倍，使电流减半，这是因为复合器件并不是共源共栅结构。具体解释见 ...