发布网友 发布时间:2022-05-09 14:04
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热心网友 时间:2024-02-01 08:35
你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看,以门极为中心,如果说Vgs大于开启电压时,形成沟道。那么根据CMOS管的对称性,如果加上Vgd是不是也应该是大于开启电压才能有导电沟道形成?所以,你看Vgd是啥?门极漏极之间的电压,也就是电势差。如果都用源极作为参考点的话,那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式。即临界时,Vgd=Vgs-Vds=Vth,即Vds=Vgs-Vth热心网友 时间:2024-02-01 08:35
图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点,即Uds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看,id几乎不因Uds的增大而变化,管子进入恒流区,id几乎决定于Uds。