发布网友 发布时间:2022-03-30 12:13
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热心网友 时间:2022-03-30 13:42
SRAM。
SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不像DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。
扩展资料
SRAM可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(Sense Amplifier),控制电路(control circuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。
存取周期为存储器的性能指标之一,直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短,运算速度愈快,但对存储元件及工艺的要求也愈高。
例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。
参考资料来源:百度百科-存取周期
参考资料来源:百度百科-SRAM
热心网友 时间:2022-03-30 15:00
D:SRAM热心网友 时间:2022-03-30 16:35
下列存储空间中,存取周期最短得是DRAM。热心网友 时间:2022-03-30 18:26
DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。