PN结番外篇一——正反向电流和载流子浓度
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发布时间:2024-10-08 16:59
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时间:2024-11-22 21:58
2020年3月4日,寒风中无星。有同学疑惑,为何PN结的正向电流与载流子浓度成反比?正向电流不是多子电流吗?载流子越多,电流不就越大吗?公式里的现象与直觉相悖,这里来一探究竟。
首先,PN结中的几个参数,如空穴扩散系数Dp和电子扩散系数Dn,以及扩散长度Lp和Ln,与材料相关而非载流子浓度。扩散系数与浓度无关,但扩散长度受浓度影响。
尽管公式不易给出直观感受,但让我们先从图像理解。看图1和图2,它们展示了正反向电压下的少子浓度分布。正向偏压下,N区边界少子浓度增加;反向偏压下,边界少子几乎为零。正向电流曲线与少子浓度分布有相似之处。
以N区空穴为例,考虑正向偏压下空穴的移动,如图2所示。电压电流曲线与少子浓度分布图息息相关:电压电流曲线的纵坐标投影即代表电流大小。正向电压下,电流随少子浓度增加而减小。
接下来,考虑多子浓度变化。若N区多子浓度ND增加,而保持正向偏压,如图3所示。N区少子浓度会下降,而P区的不变。内建电势和电场的变化导致势垒区边界变化,从而影响电流。N区浓度增加后,少子扩散到P区的电流密度减小,导致正向电流减小。
反向电压时,由于N区浓度增加,势垒区边界少子减少,反向饱和电流也会减少。同样,通过反向电压下的少子浓度分布图,可以直观看到电流的减小。
希望这次解释对大家有所帮助,如有疑问,可参考我的其他文章或书籍,如《微电子器件(第3版)》和《半导体器件物理(第3版)》。感谢关注微信公众号:芯路。