FED电视机FED技术原理与发展
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发布时间：2024-10-08 20:45
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时间：2024-10-25 22:36
场发射电极理论最早源自1928年R.H.Eowler与L.W.Nordheim的共同提出，但真正以半导*程技术研发出场发射电极元件，并将场发射电子用于显示器技术的，是1968年C.A.Spindt的创新。随后，这一技术吸引了众多研究者的关注与投入，FED技术逐渐崭露头角，成为平面显示器技术之一。
在场发射显示器的应用中，发射与接收电极之间需保持真空状态，因此需导入高电压以形成电场，刺激电子撞击接收电极下的萤光粉，产生发光效应。这一原理与阴极射线管（CRT）类似，均在真空环境中通过电子撞击萤光粉发光。不同之处在于，CRT由单一电子*发射电子束，通过偏向轨控制发射扫瞄方向；而FED显示器拥有数十万个主动冷发射子，构造上较CRT节省空间。在电压需求上，CRT约需15~30KV，而FED阴极电压则小至1KV。
FED被视为可能取代CRT的技术，但初期发展成本相对较高，主要源于场发射元件的问题。Spindt形式微尺寸阵列虽实现发射显示，但其阵列特性*了显示尺寸，因每个阵列单元包含一个圆孔，圆孔内含金属锥，微影与蒸镀技术*了尺寸大小。
为解决这一问题，采用取代Spindt场发射元件的技术成为了研究重点。1991年NEC发表关于奈米碳管的研究后，研究人员发现以奈米结构合成的石墨或奈米碳管作为场发射元件能获得更好的效率，推动了FED研发的进展。目前，日本伊势电子与韩国Samsung在奈米碳管场发射显示器领域投入较早，索尼、日立、富士写真、佳能、松下、东芝、尼康与NEC等厂商也提出与奈米技术相关的专利申请，其中以奈米碳管为主要研发项目。
在大尺寸场发射显示面板方面，日本伊势电子率先使用化学气相沉积法成功制作出14.5寸彩色奈米碳管场发射显示器，亮度达到10,000cd/m2。韩国Samsung则展示单色、600cd/m2的15寸奈米碳管场发射显示器，并计划发展用于电视机的32寸显示器，成功实现了100伏特以下的低电压驱动结果。
扩展资料
FED英文全称为Field Emission Display，中文意为场发光显示器。由于发光原理和传统的CRT电视非常相似，都是利用电场吸引阴极电子源发射电子束，撞击荧光物质发光，因此FED电视继承了CRT的高亮度、高对比度、宽视角的优势，又兼有LCD、PDP的超薄外观、高分辨率特性，还很好地杜绝了CRT的电磁辐射和X射线辐射以及LCD的残像感。
