DRAM结构

发布网友发布时间：2024-10-03 23:14

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热心网友时间：2024-10-06 19:13

在台湾，半导体技术高度发达，其中内存和显存统称为记忆体，正式名称为动态随机存取记忆体（DRAM）。DRAM的基本工作原理基于电容存储电荷的多少来表示二进制的0和1，这构成了一个基本的位元（bit）。内存的基本单位就是这样的位元。

DRAM的构造设计简洁高效，每一个位元仅需一个晶体管和一个电容。然而，电容不可避免地存在漏电问题，若电荷不足，信息可能会出错。因此，电容需要定期进行刷新，也就是预充电，这是DRAM的一个显著特性。电容的充放电过程需要时间，这就限制了刷新频率的提升，形成了DRAM的一个瓶颈。即使有先进制造工艺的支持，提高频率的潜力也有限。然而，随着科技的不断进步和人们对超频需求的持续，这些障碍正在逐渐被克服。

扩展资料

3管动态RAM基本存储电路