...需要怎么去设置一下才能用呢?原来的不用了。怎么设置,能说详细...
发布网友
发布时间：2024-10-04 00:30
共5个回答
热心网友
时间：2024-11-15 10:27
直接用就可以了,不用设置.
看你分这么多,多说一点吧
内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。
总而言之，一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多，总线速度越高，这种情况就越明显。
这些对你有帮助.
热心网友
时间：2024-11-15 10:34
热心网友
时间：2024-11-15 10:27
可选项：Disabled，Enabled。
SPD(Serial Presence Detect )是内存条上一个很小的芯片，它存储了内存条的工作参数信息。如果使用优质的品牌内存，则可以将DRAM Timing By SPD设置成Enabled，此时，就无需对下面介绍的BIOS内存参数进行设置了，系统会自动根据SPD中的数据确定内存的运行参数。有些兼容内存的SPD是空的�或者感觉某些品牌内存的SPD参数比较保守，想充分挖掘其潜能，则可以将该参数设置成Disabled，这时，就可以对以下的内存参数进行调整了。
SDRAM CAS Latency Time(内存CAS延迟时间)
可选项：2，3。
内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。
SDRAM Cycle Time Tras/Trc(内存Tras/Trc时钟周期)
可选项：5/7，7/9。
精彩推荐
该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间(Row Active Time)，它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间(Row Cycle Time)，它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间)
可选项：2，3。
该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。
SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)
可选项：2，3。
该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的内存保留区)
可选项： Disabled，Enabled。
一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内存区域保留给此类ISA扩展卡使用。由于PC'99规范已不再支持ISA扩展槽，所以新型的主板一般都没有ISA插槽，因而应将该参数设为Disabled。
System Memory Frequency(系统内存频率)
可选项：AUTO、100MHz、133MHz。
此项设置实现内存异步运行管理功能。AUTO：根据内存的特性自动设定内存的工作频率；100MHz：将内存强制设定在100MHz频率下工作；133MHz：将内存强制设定在133MHz频率下工作。
Memory Parity/ECC Check(内存奇偶/ECC校验)
可选项：Disabled，Enabled。
如果系统使用了ECC内存，可以将该参数设为Enabled，否则一定要将该参数设成Disabled。ECC表示差错校验和纠正(Error Checking and Correction)�一般是高档服务器内存条所具备的功能，这种内存条有实现ECC功能的内存颗粒，使系统能够检测并纠正内存中的一位数据差错或者是检测出两位数据差错。ECC功能可以提高数据的完整性和系统的稳定性，这对服务器尤其重要，但ECC会造成一定的性能损失。
VIA芯片组主板
VIA芯片组主板一般比Intel芯片组主板内存设置选项要丰富一些，在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项：
Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(内存速度设定)
可选项：Turbo(高速)，Fast(快速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns。
该选项用于设定内存的速度，对于SDRAM内存条，设定为SDRAM 8/10 ns即可。
SDRAM Clock(内存时钟频率)
可选项：HOST CLK，HCLK+33M(或HCLK-33M)。
该参数设置内存的异步运行模式。HOST CLK表示内存运行频率等于系统的外频，HCLK+33M表示内存运行频率等于系统外频再加上33MHz，HCLK-33M表示内存运行频率等于系统外频减去33MHz。如PentiumⅢ 800EB时，BIOS自动使该参数的可选项出现HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133内存，可以将该参数设为HOST CLK，如果使用PC100内存，则可以将该参数设为HCLK-33M，这样就可使系统配合性能较低的PC100内存使用。内存异步功能使系统对内存的兼容性的提升是比较明显的，也是VIA芯片组一项比较重要的功能。
Bank Interleave(内存Bank交错)
可选项：Disabled，2-Bank，4-Bank。
内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现，这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，提高了SDRAM内存的带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
不过，内存交错是一个比较高级的内存设置选项，有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧，可能没有该设置项，这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项，那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件，如WPCREdit和相应的插件(可以从"驱动之家"网站下载)来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。
SDRAM Driver Strength(内存访问信号的强度)
可选项：Auto，Manual。
此选项用于控制内存访问信号的强度。一般情况下可以将该选项设置成Auto，此时芯片组承担内存访问信号强度的控制工作并自动调整内存访问信号的强度以与电脑中安装的内存相适应。如果需要超频或排除电脑故障，则可以将该参数设为Manual，这时就可以手工调整SDRAM Driver Value(内存访问信号强度值)的数值。
SDRAM Driver Value(内存访问信号强度值)
可选项：00至FF(十六进制)。
该选项决定了内存访问信号强度的数值。要注意的是只有将SDRAM Driver Strength选项设为 Manual时，SDRAM Driver Value的数值才是有效的。SDRAM Driver Value的范围是十六进制的00至FF，其数值越大，则内存访问信号的强度也越大。内存对工作频率是比较敏感的，当工作频率高于内存的标称频率时，将该选项的数值调高，可以提高电脑在超频状态下的稳定性。这种作法尽管没有提高内存的工作电压(有一些超频功能较强的主板可以调整内存的工作电压)，但在提高SDRAM Driver Value的数值时仍然要十分慎重，以免造成内存条的损坏。
Fast R-W Turn Around(快速读写转换)
可选项： Enabled，Disabled。
当CPU先从内存读取数据然后向内存写入数据时，通常存在额外的延迟，该参数可以降低这种读写转换之间的延迟。将该参数设置成Enabled，可以降低内存读写转换延迟，从而使内存从读状态转入写状态的速度更快。然而，如果内存不能实现快速读写转换，则会造成数据丢失和系统不稳定，这时就需要将该参数设置成Disabled。
注意：在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守设置，毕竟稳定性是最重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、重启动或程序发生异常错误等情况，只要清除CMOS参数，再次设置成系统默认的数值就可以了。
热心网友
时间：2024-11-15 10:31
容量高，不用设置，频率高，得看你的主板是否支持！
热心网友
时间：2024-11-15 10:26
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。
总而言之，一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多，总线速度越高，这种情况就越明显。
不用其他设置的.如果是频率不一样的话计算机会自动把高频率的降为低频率使用.容量根本不用重新设置!你放心用吧
