TTL电路特性曲线电压传输特性
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发布时间:2024-10-03 15:29
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时间:2024-10-03 15:37
TTL与非门和LSTTL电路的电压传输特性展现了它们在输入信号变化时的响应行为。这些特性受寄生电容和晶体管载流子的存储效应影响,导致输出波形在输入信号变化时经历四个关键时间常数:下降时间tf、上升时间tr、延迟时间td以及存储时间ts。这些参数在电路中起着决定输出状态的关键作用。
在基本单元“与非门”的电路形式中,常见的有四管单元、五管单元和六管单元,每种结构都有其特定的电路设计和工作原理。常见的封装形式包括双列直插和扁平封装,这些封装方式对电路性能和稳定性有着直接的影响。
以TTL反相器为例,当输入电压Vi和Ve1分别为0.2V时,T1导通,使得Vb1上升至0.9V,T2截止,T3导通,T4截止,输出Vo为高电平。另一方面,当Vi和Ve1升至3.6V时,T1依然导通,但Vb1升高到4.3V,此时T2导通,T3截止,T4也导通,但由于T2的导通使T3的基极Vb3被钳制在0V,Vo变为低电平。这个过程展示了TTL电路在不同输入信号下的动态行为,可通过参考《数字电子技术基础》第四版中的高等教育出版社阎石主编的P53页电路图进行详细理解。