氮化镓材料一般会用在什么地方呢?哪家企业有在做?
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发布时间:2022-04-26 01:09
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热心网友
时间:2022-06-19 05:23
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
新型电子器件
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。
光电器件
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料,GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后,InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前,Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段,从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入,GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化,现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。
氮化镓龙头上市公司主要有海特高新、台基股份、亚光科技、三安光电、闻泰科技、士兰微、耐威科技、海陆重工、富满电子、云南锗业、有研新材、乾照光电等。股民可以通过券商、证券交易软件等渠道投资以上相关公司股票。
热心网友
时间:2022-06-19 05:24
什么是第三代半导体材料?
第三代是指半导体材料的迭代变化,从第一代、第二代过渡到第三代。第一代半导体材料主要是指以Si、Ge元素为主的半导体,它们是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的基础材料,但是硅基芯片经过长期发展,已经正在逐渐接近材料的极限,硅基器件性能提高的潜力也越来越小。
第二代半导体材料主要是指如砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料,其中以砷化镓(GaAs)为代表,砷化镓拥有一些比硅更好的电子特性,可以用在高于250GHz的场合,并且砷化镓比同样的硅基器件更适合运用在高功率的场合,可以运用在卫星通讯、雷达系统等地方。
第三代半导体材料以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带物质为代表。事实上,三代半导体材料之间的主要区别就是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论,能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带,价带被电子填满且导带上无电子时,晶体不导电。
当晶体受到外界能量激发(如高压),电子被激发到导带,晶体导电,此时晶体被击穿,器件失效,禁带宽度代表了器件的耐高压能力。跟前两代相比,第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。
展开来看,在军事领域,GaN可用于雷达、电子对抗、导弹和无线通信通,碳化硅(SiC)主要用于喷气发动机、坦克发动机、舰艇发动机;在民用商业领域,氮化镓(GaN)用于基站、卫星通信、有线电视、手机充电器等小家电,而碳化硅(SiC)主要用于电动汽车、消费电子、新能源、轨道交通等。
实际上,氮化镓(GaN)技术并不是一种新的半导体技术,自1990年起就已经常被用在发光二极管中,但成本昂贵。从制造工艺上来说,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属(镓是伴生矿,没有形成集中的镓矿,主要从铝土矿中提炼,成本比较高),而且两者反应时间长,速度慢,反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻,技术复杂,产能极低,众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
热心网友
时间:2022-06-19 05:24
氮化镓材料主要是用在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面的,目前市场上专门做这种材料的不多,利亚德参股的Saphlux公司算是实力比较强的一个了。