电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点_百度问一问
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发布时间:2022-04-24 18:39
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时间:2023-11-02 15:36
摘要都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要留有一定裕度,防止误导通。咨询记录 · 回答于2021-10-24电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要留有一定裕度,防止误导通。可以再详细一点吗你稍等,GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点...
都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要...
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N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有固定的大小关系。这是因为当MOS管工作在恒流区时,由于源极和漏极电压相等,G极电压(即源极电压)为0,而D极电压(即漏极电压)受栅极电压控制。由于G极电压为0,因此在恒流区时,D极电压将受到栅极电压的控制,栅极电压越高,D极电压也越高。由于G极和D极是反并联的,因此D极电压的变化将导致G极电压的变化,从而导致MOS管输出电压的变化。在恒流区时,如果g极与d极之间的电位相等,则根据MOS管的导通特性,漏极电流将恒定不变,从而MOS管输出电压也将保持恒定不变。因此,当MOS管工作在恒流…不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必...
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电力电子复习题 谁帮我写下答案 谢谢了
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单相永磁同步电机是什么原理?
电力电子技术是信息产业和传统产业间重要的接口,是弱电与被控强电之间的桥梁。自58年世界上第一个功率半导体开关晶闸管发明以来,电力电子元件已经历了第一代半控式晶闸管,第二代有自关断能力的半导体器件(大功率晶体管GTR、可关断晶闸管GTO、功率场效应管MOSFET)的三代复合场控器件(绝缘栅功率晶体管IGBT、静电感应式...
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