三极管模拟开关原理解释

发布网友发布时间：2022-04-24 21:30

共5个回答

热心网友时间：2023-10-11 20:32

三极管做开关时是使其工作在饱和和截止区域的。
一般截止区的条件大家都很清楚，是基极和发射极的电压差要小于其自身的导通电压（即导通的最低电压，一般我们认为硅的导通电压是0.7v，锗是0.5v，只有当加在*管的电压超过这个值才会导通，低于这个值的时候，*管会出现在死区，也就是没电流通过，或者非常小）。
而饱和区的确定就要看基极电流和发射极电流（饱和时，发射极和集电极间的压差很小，相当于短路，故此时集电极电流约等于发射极电流）关系了。
一般使基极电流Ib*β<Ic（β为电流放大系数），就可以确保其到达饱和状态。所以我们可以先计算集电极和发射极支路的电流，一般是电源电压除以电阻值。而基极和发射极支路的电流是电源电压减去三极管的导通电压再除以电阻值。按照上式比较后就可以知道三极管是不是处在饱和状态。
一般三极管的电流可以用加入的电源电压和其支路的电阻确定其电流值，继而得知其的工作状态，但三极管的允许工作电流有一个限值，我们进行设计时要看好三极管的数据手册。

热心网友时间：2023-10-11 20:32

你的具体要求不是很清楚，下面给你一个12v直流电控制220v交流市电的图，380v也一样。你如果控制的是直流电，就要用可关断可控硅或高压大功率三极管或igbt管了。

热心网友时间：2023-10-11 20:33

你就把三极管看成一个压控可变电阻即可，该电阻大小受管子基极信号控制。

热心网友时间：2023-10-11 20:33

Vddc高时，此时Q3发射结正偏，Q3导通，D2发光；Q3导通导致R49左边电势被拉低到地，此时Q4发射结正偏，Q4导通，Vdd1被拉高，输出Vdd。同理Vddc低时，Q3发射结零偏，无法导通，此时R49电阻的左边接Vdd，为高，导致Q4发射结零偏，Q4无法导通，导致Vdd1输出通过电阻R46被拉低到地。

热心网友时间：2023-10-11 20:34

这电路是常见的复合开关电路，这电路解决了管子发热，大电流的问题，其工作原理如下：
一、当CPPC电压长升高到D6的导通电压时（差不多0.7V），控制电压经R2限流后，使D6导通，Q1基极获得电流，使Q1导通，由于Q2是PNP管，电流经R26，Q1到地，形成了闭合回路，因此Q2导；反之Q2截止，如此循环，从而达到开关的作用。
另一个电路跟这一样，不知道你的三极管是什么型号，如果要做开关电路，电路中VPP和VDD必须加上正向电压。（根据不同的管子，电压可不一样）