怎么给自己的内存超频?
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发布时间：2022-04-24 08:46
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热心网友
时间：2022-06-18 03:51
在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解。
对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。
目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。
页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 *4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2*4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。
CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP。
当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。
当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好。
对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。
对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小。
Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。
适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。
BIOS中内存相关参数的设置要领
Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）
这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。
Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。
RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。
RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。
热心网友
时间：2022-06-18 03:52
2、内存体质强弱。了解内存最高标准频率，时序等参数。
3、在BIOS中的内存参数设置选项中，将当前内存频率参数提高一个等级。如，1333修改为1666MHz。再去时序设置选项中，适当放宽内存时序T值（即增大原值，减小内存工作压力）。超频成功后，还可再尝试提高内存频率参数档次。
4、保存修改并退出BIOS，重启后检查效果。失败黑屏不能启动时（老机），需清除COMS参数，使用默认值重进BIOS，适当增加内存工作电压（微调），再试。
5、成功则喜。不成功时，分析原因，再重新细调内存参数，多次试验仍不成功，也可换条内存试试。
6、看法，不赞成内存超频。超频快感带来的，只有极限条件下的硬件痛苦，寿命减短，系统稳定性下降，可能会经常系统卡顿、莫名死机、蓝脸等。而性能提高的几个百分点是微不足道的。若只是玩玩，无可非议；真想烧一把，去搞块支持超频的主板、内存，爽爽无妨。
