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200分求助买内存!!!

发布网友 发布时间:2023-06-21 16:28

我来回答

6个回答

热心网友 时间:2024-11-09 09:40

不能,内存插槽不一样,可以买DDR400

把你的条子卖了再买一条新的1G吧

热心网友 时间:2024-11-09 09:41

首先简介一下你的昂达 N61G参数: CPU插槽类型:Socket 754/支持CPU类型:支持Athlon 64,Sempron系列处理器/北桥芯片:nVIDIA GeForce 6100/南桥芯片:nForce410/内存描述:2 DDR DIMM,支持DDR400,DDR333/集成显卡:板载nVIDIA 6100显示芯片/板载声卡:板载6声道声卡 支持 2 DDR DIMM 类型内存。 你有金士顿内存 1G DDR2 667 型号内存;是不可以用的.DDR DIMM 这两类的内存你都可以选用。

推荐二个DDR型号:
一、 Kingmax 512M DDR400
型号 512M DDR400
适用类型 台式机
内存类型 DDR
内存容量 512M
插脚数目 184pin
性能参数
内存主频 DDR400(PC3200)
颗粒封装 TSOP
颗粒速度 5ns
延迟描述 CL=2.5
资料来源:http://proct.pconline.com.cn/memory/kingmax/33566_detail.html
二、TwinMOS DDR 400 U-DIMM 512MB(勤茂)
型号 TwinMOS DDR 400 U-DIMM 512MB
适用类型 台式机
内存类型 DDR
内存容量 512M
插脚数目 184pin

性能参数
芯片分布 单面八颗
内存主频 DDR400(PC3200)
颗粒封装 TSOP
延迟描述 CL=2.5/3
ECC校验 不支持
资料来源:http://proct.pconline.com.cn/memory/twinmos/173899_detail.html
在这也为你了解一下DDR400 和DDR2,的两种型号资料与DDR和DDR2的区别及DIMM 资料
DDR400:
DDR400是目前最热门的内存规范,然而真正能够使用上其全部威力的用户却不多。PC部件之间讲究协调工作,不然就可能造成投资浪费。以Pentium4平台为例,大多数处理器还停留在533MHzFSB阶段,此时即便是DDR400内存也只能委曲求全地工作在DDR333模式 DDR400通常还有一个称呼就是PC3200,同样的产品为什么会有两个名字?这里的来龙去脉要从DDR的发展才可以知道。DDR开始出现的时候有三个主要版本,就是DDR200和DDR266、DDR333,和DDR400被称为PC3200一样,这两种规格的DDR内存被称为PC1600和PC2100、PC2700。实际上,这三种规格的DDR内存其时钟频率分别为100MHz、133MHz和166MHz。而DDR本身是Double Data Rate的缩写,顾名思义就可以知道它在同一周期内可以传输两倍的数据,那么这三种规格在理论上就等效于200MHz、266MHz、333MHz了,这便是第一种称呼的命名规则。这种规则和从SDRAM的PC66、PC100到PC133的命名规则一脉相承,所以很好理解。但是当时DDR的对手是RDRAM,RDRAM的命名方式是PC600、PC700和PC800,这就导致了表面上看起来DDR的速度似乎比RDDAM慢了许多,为了挽回在命名上的“劣势”,便启用了PC1600和PC2100、PC2700这一套命名系统。所以,第一套命名系统是用有效的数据传输时钟来称呼,而第二套系统则是使用实际的峰值数据传输速率来计量的。以PC2100为例,其转换关系是:133MHz×2×(64bit/8)=2128MB/s。

众所周知CPU对于内存带宽的需求显然是惊人的,因此内存总是在不断追赶CPU的脚步,Rambus的在内存技术方面堪称顶尖,可是他的价格也非常昂贵,于是DDR在继承了SDRAM的大部分衣钵后靠着其不算太差的性能和价格方面的优势成为市场的主宰。

DDR2: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别:

1、延迟问题:

从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量:

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ*。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术:

除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

采用双通道运行,速度是DDR的2倍。

总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。
DIMM :
及Dual-Inline-Menory-Moles,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条,DIMM提供了64位的数据通道,因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚,故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些,并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言,适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外),适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片),二者不能混合使用。

DIMM(Dual Inline Memory Mole,双列直插内存模块)与SIMM相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM,SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同,SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构,金手指每面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入插槽时,错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构,金手指每面有92Pin,金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同,是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构,金手指每面有120Pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口,但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同,因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的,同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的,因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上,不会出现将内存插错插槽的问题。

为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求,SO-DIMM(Small Outline DIMM Mole)也开发了出来,它的尺寸比标准的DIMM要小很多,而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同,SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚,而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin,DDR2为214pin;Mini Registered DIMM接口为244pin,主要用于DDR2内存。

热心网友 时间:2024-11-09 09:41

DDR-400 多大你看着办

热心网友 时间:2024-11-09 09:42

一是不能,二要买DDR同品牌同频率的内存,要不会出现不兼容,加个256的内存就行了

热心网友 时间:2024-11-09 09:42

1.把你的256M内存拿去卖内存的地方抵60-80元加钱换个512M或者1G的,你还留着原来那个还影响速度些。而且这样也不会有兼容问题。当然用1G的是好些,可以说在你全套配制1G的已经是完全足够了,而且你以后还想升级也还有个内存巢留着。
2.只能用DDR400的,因为它现在性价比最高,DDR2的接口和工作电压都不一样,你肯定用不了。
3.我建议你用威刚的,就我装过的机子来说我觉得威刚的兼容是最好的,这样不管你以后把你旧机子当2手的整卖还是分开买,问题都少些。你的板子可以上单1G的条子。也只能最高支持单1G,全部2G的内存。所以不要上1.5G的也不要上2G的。
总结:在升级中,你拿旧内存抵钱,上威刚DDR400的1G内存是最划算,也是最好的选择。

热心网友 时间:2024-11-09 09:43

我想应该是DDR400
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