场效应管8N60C的参数及代换
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发布时间：2022-04-24 08:25
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时间：2022-06-18 00:23
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
场效应管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
参考资料来源：百度百科-场效应管
参考资料来源：百度百科-FQPF8N60C
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时间：2022-06-18 00:23
可用8N80，10N60，11N60等代换。
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时间：2022-06-18 00:23
8N60C参数是8A，600V。
代换可用SSS7N60B、T2SK2545、IRFBC40、STP8NK60ZFP、8N6O 8A600V、10N60、8N80、10N60、11N60都可以。
场效应管：
Field Effect Transistor，又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
场效应管分类：结型场效应管（JFET）和 绝缘栅场效应管（MOS管）
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时间：2022-06-18 00:24
