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发布时间：2023-09-23 13:02
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a应用技术部，工业技术中心的长崎， 2-1303-8 ，池田，大村，长崎856-0026 ，日本。
b研究生学校的科学和技术，长崎大学， 1月14日，文教，长崎，长崎852-8131 ，日本。
c材料科学部，达姆施塔特技术大学， Petersenstr 。 23日，达姆施塔特64287 ，德国.
网上提供2009年3月9日.
摘要
含硅类金刚石碳（四金刚石）薄膜制备硅片衬底直流辉光放电。乙炔和混合物， tetramethylsilane气体作为工作气体的等离子。负直流电压适用于衬底持有。直流电压变化范围内？ 1千伏至？ 4千伏。表面形貌的薄膜和薄膜厚度，观察扫描电子显微镜。组成的含硅类金刚石薄膜进行了X射线光电子能谱。电影结构的特点是拉曼光谱。阿球盘测试2不适用负载采用获取有关的摩擦性能及滑动磨损性能的薄膜。该薄膜的退火723钾， 773 K和873 K的空气30分钟，以便估计的热稳定性的类金刚石薄膜。表面粗糙度的含硅类金刚石薄膜是非常低，没有特殊的结构进行了观察。沉积速率线性增加与Si含量。该职位的D -和G -带，拉曼光谱随Si含量。综合强度比率编号/球蛋白的含硅类金刚石薄膜与Si含量降低。非常低的摩擦系数为0.03 ，获得了24 。 ％含硅类金刚石薄膜。热电阻类金刚石薄膜可提高到泗此外类金刚石薄膜。
关键词：金刚石;硅掺入;拉曼光谱;摩擦系数
