单片机产生PWM波,控制开关管??
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发布时间：2022-04-25 07:36
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时间：2023-11-07 03:34
首先纠正一下你的问题，不是单片机产生的PWM波电压太低难以驱动半导*冷片，而是驱动你的器件需要一定的功率，也就是所谓的带载能力，单片机IO输出能力一般为3.3V或5V，输出电流最大为几十个mA，远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：
单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里，单片机的PWM波接到三极管上，也是用到三极管的开关特性吧？？？为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢？？这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧？？
追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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时间：2023-11-07 03:34
问题2：用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小，频率高用MOS， 电流大，开关频率低用IGBT；
问题3：这个是典型的Buck电路，完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率，占空比，以及电感（主要是饱和）。还有，开关管的压降不能太大
问题4：看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说，是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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时间：2023-11-07 03:35
单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离
2至于第二问看看资料可能你会有所选择
资料：http://wenku.baidu.com/view/f984ea86bceb19e8b8f6ba56.html
3从原理上说，电路没有问题，就是缺少反馈的机制，输出的电压可能不够稳定
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时间：2023-11-07 03:34
首先纠正一下你的问题，不是单片机产生的PWM波电压太低难以驱动半导*冷片，而是驱动你的器件需要一定的功率，也就是所谓的带载能力，单片机IO输出能力一般为3.3V或5V，输出电流最大为几十个mA，远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：
单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里，单片机的PWM波接到三极管上，也是用到三极管的开关特性吧？？？为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢？？这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧？？
追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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问题2：用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小，频率高用MOS， 电流大，开关频率低用IGBT；
问题3：这个是典型的Buck电路，完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率，占空比，以及电感（主要是饱和）。还有，开关管的压降不能太大
问题4：看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说，是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离
2至于第二问看看资料可能你会有所选择
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3从原理上说，电路没有问题，就是缺少反馈的机制，输出的电压可能不够稳定
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首先纠正一下你的问题，不是单片机产生的PWM波电压太低难以驱动半导*冷片，而是驱动你的器件需要一定的功率，也就是所谓的带载能力，单片机IO输出能力一般为3.3V或5V，输出电流最大为几十个mA，远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：
单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里，单片机的PWM波接到三极管上，也是用到三极管的开关特性吧？？？为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢？？这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧？？
追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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问题2：用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小，频率高用MOS， 电流大，开关频率低用IGBT；
问题3：这个是典型的Buck电路，完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率，占空比，以及电感（主要是饱和）。还有，开关管的压降不能太大
问题4：看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说，是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离
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3从原理上说，电路没有问题，就是缺少反馈的机制，输出的电压可能不够稳定
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单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里，单片机的PWM波接到三极管上，也是用到三极管的开关特性吧？？？为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢？？这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧？？
追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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问题2：用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小，频率高用MOS， 电流大，开关频率低用IGBT；
问题3：这个是典型的Buck电路，完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率，占空比，以及电感（主要是饱和）。还有，开关管的压降不能太大
问题4：看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说，是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离
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单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
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追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。
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追答是的，三极管也是作为开关管使用，这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能，保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极，导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行，MOS，三极管，IGBT各有各的特性，在大功率场合里，MOS和IGBT多一些，至于具体有什么区别，还是参考电力电子教材吧，肯定比我说的明白
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问题3：这个是典型的Buck电路，完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率，占空比，以及电感（主要是饱和）。还有，开关管的压降不能太大
问题4：看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说，是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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3从原理上说，电路没有问题，就是缺少反馈的机制，输出的电压可能不够稳定
