二极管的伏安特性20

发布网友发布时间：2023-09-17 08:10

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热心网友时间：2024-11-15 00:09

二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来性能，也就是失效了。二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。

热心网友时间：2024-11-15 00:09

极管是由半导体材料制成的，带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上，在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动)，相互结合失去电性，留下交界面附近的正负离子(这样一个区域称之为耗尽层)，形成内部电场和空间电荷区，这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动)，最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区不再扩大，内部电场保持稳定。二极管被加上一个与内部电场方向相反的电压(称之为正向导通电压)时，内电场就会被削弱，当外加电场大于内电场时，漂移运动就能源源不断地进行，形成电流，表现出导体的性质。参考《模拟电子技术基础》(童诗白编)《电子技术基础：模拟部分》(康华光编)

热心网友时间：2024-11-15 00:10

正向导通，返向截止。