HFSS 里面的perfect E 和 perfect H 有什么含义
发布网友
发布时间:2022-05-02 04:31
我来回答
共1个回答
热心网友
时间:2022-06-28 06:22
在hfss中,
Perfect E边界代表结构的表面是理想导体。在hfss中默认所有直接暴露在背景中的模型的表面都是理想导体边界,也就是说这时候模型是被理想导体包围的。而电场矢量是垂直于理想导体表面的,电场矢量总的的切向分量之和为零。
Perfect H 是一种理想的磁边界条件,这种边界条件的电场矢量与物体表面相切,磁场矢量与物体表面垂直。需要说明的是,在真实世界中不存在理想磁边界,它只是理论上的约束 条件。在 HFSS 中灵活应用理想磁边界条件,可以实现如下两个重要功能。
(1)在背景默认的理想导体边界条件上叠加理想磁边界条件,可以模拟开放的自由空间。
(2)在理想导体边界上叠加理想磁边界将去掉理想导体边界的特性,恢复所选择区域为其原先的材料特性;也就相当于在理想导体表面上开个口,允许电场穿过。例如,使用该功 能可以模拟在地平面上开个孔允许同轴馈线进出。
其实完全可以自己看一下help就能明白它们各自的含义和关系。