半导体物理学:能带底和导带底,能带顶和价带顶有什么区别 还有能带,允...

Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg，是不允许电子存在的部分（禁是禁止之意）。

价带满载，其中的电子是价电子，能带顶部的能量值记为 [公式]。外部影响促使部分电子跃迁到空的导带，形成导带，导带底部的能量记为 [公式]。这种电子从价带到导带的过程称为本征激发，对于硅、锗等半导体，其本质是共价键电子脱离束缚成为自由电子，且导带电子与价带空穴成对出现，禁带宽度 [公式] 描述...

我们看到的能带图，有导带底、价带顶，杂质半导体中还有施主能级和受主能级。所谓能带图就是用水平横线表示各个能带的能量极值及定义值，可以直观的看到不同能级的能量的大小的一种表示方法。如果你希望了解更深入的理论或者对一些定义不太了解，建议你看刘恩科版《半导体物理》。

若E(0)是导带底，则其它任何k态的能量E(k)，都必将大于E(0)，即有E(k)>E(0)；若E(0)是价带顶的能量，则其它任何k态的能量E(k)，都必将小于E(0)，即有E(k)<E(0)。

能带结构方面，价带为简并状态，包含重空穴带、轻空穴带及自旋-轨道耦合分裂的第三带。价带顶在k=0处附近，与金刚石结构不同。对于InSb，其价带顶偏离布里渊区中心0.3%，可近似认为位于k=0处，形成直接带隙。而Si则为间接带隙，价带顶与导带底分别位于布里渊区中心与偏离中心位置。具体能带结构如下...

1)肖脱基缺陷 由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-...

理解半导体PN结的原理，需要从能带和载流子的基本概念入手。能带包括导带、价带、禁带和允带，它们构成了半导体的能级结构。导带和价带之间的能隙是禁带，而允带在某些特定条件下可能出现在导带和价带之间。在P型和N型半导体中，它们的能级分布存在差异，这是由于掺杂能级的位置不同。在绝对零度时，电子从低...

所谓的施主能带Ed，指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子，所以，他的能带在比导带低...

非晶态半导体与晶态半导体既有相似的特征,又有十分重要的区别。如非晶态半导体的本征吸收光谱与晶体半导体粗略相似,表明大部分的能级分布与晶体的能带相似。但是,在导带底和价带顶部都有一定数量的“带尾态”;一般认为它们是局域化的电子态。另外,连续分布在整个禁带中还有相当数目的所谓“隙态”,隙态的多少和分布都...

因为在一个能带所对应的Brilllouin区中，波矢为0的点对应于导带底，而波矢K=1/2a的点对应于价带顶，所以当电子从导带底运动（加速）到价带顶时，波矢就从0变化到1/2a。