MOS管什么时候选P沟道 N沟道?下面的选择方法对吗,为什么
发布网友
发布时间:2022-05-01 08:02
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热心网友
时间:2022-04-12 00:20
第一步:选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道
MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该
MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS.知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量
覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V.
热心网友
时间:2022-04-12 01:38
嗯,可以这么理解。
同时你也可以从驱动信号的特性上去理解。一般的MOS管都是增强型,而现实中驱动信号往往会表现为正电压,这时候用N沟道MOS管会方便很多,因为它只要正电压就可以驱动了。而P沟道需要负电压才能开启,实际使用起来会比N沟道麻烦一些。追问为什么这么判断
追答因为增强型MOSFET要导通,UGS的绝对值必须高于UGS(th)的绝对值。
比如对于NMOSFET,就必须有UGS〉UGS(th),而NMOSFET的UGS(th)是正数,一般是2-4V。
而P沟道,UGS<UGS(th),这里的UGS(th)是个负数,也就意味着你得用负电压才能开启,对于数字电路,一个正电压比较容易获得,要是你想弄个负电压,需要专门设计电路或者使用专用驱动电路,会增加电路元器件,增加成本。
如果你对MOSFET市场足够熟悉,你会发现,市面上绝大部分MOSFET,都是N沟道增强型MOSFET,原因就是驱动简单,好用。
你前面的理解,也很容易,在使用NMOSFET的场合,如果你真要在S加负载,你的驱动电压是在负载电压条件下再加一个UGS(th),而如果负载在D极,则驱动电压变化并不大(只要大于UGS(th)),控制要容易实现得多。