英飞凌IGBT芯片有哪些型号规格参数？11
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发布时间：2023-10-18 05:47
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时间：2024-09-21 22:04
600V英飞凌IGBT芯片晶圆
IGC03R60DE 600V 2.5 A
SIGC03T60E 600V 4.0A
SIGC03T60SE 600V 4.0 A
SIGC03T60SNC 600V 2.0 A
IGC04R60DE 600V 4.0 A
SIGC04T60E 600V 6.0 A
SIGC04T60GE 600V 6.0 A
SIGC04T60GSE 600V 6.0 A
IGC05R60DE 600V 6.0 A
SIGC05T60SNC 600V 4.0 A
IGC06R60DE 600V 8.0 A
SIGC06T60E 600V 10.0 A
SIGC06T60GE 600V 10.0 A
IGC07R60DE 600V 10.0 A
SIGC07T60NC 600V 6.0 A
SIGC07T60SNC 600V 6.0 A
SIGC07T60UN 600V 6.0 A
SIGC08T60E 600V 15.0 A
SIGC08T60SE 600V 15.0 A
IGC10R60DE 600V 15.0 A
SIGC10T60E 600V 20.0 A
SIGC10T60SE 600V 20.0 A
SIGC11T60NC 600V 10.0 A
SIGC11T60SNC 600V 10.0 A
SIGC12T60NC 600V 10.0 A
SIGC12T60SNC 600V 10.0 A
SIGC14T60NC 600V 15.0 A
SIGC14T60SNC 600V 15.0 A
SIGC15T60E 600V 30.0 A
SIGC15T60SE 600V 30.0 A
SIGC15T60UN 600V 15.0 A
SIGC18T60NC 600V 20.0 A
SIGC18T60SNC 600V 20.0 A
SIGC18T60UN 600V 20.0 A
SIGC19T60SE 600V 40.0 A
SIGC25T60NC 600V 30.0 A
SIGC25T60SNC 600V 30.0 A
SIGC25T60UN 600V 30.0 A
SIGC28T60E 600V 50.0 A
SIGC39T60E 600V 75.0 A
SIGC40T60R3E 600V 75.0 A
SIGC42T60NC 600V 50.0 A
SIGC42T60SNC 600V 50.0 A
SIGC42T60UN 600V 50.0 A
SIGC54T60R3E 600V 100.0 A
SIGC61T60NC 600V 75.0 A
SIGC76T60R3E 600V 150.0 A
SIGC81T60NC 600V 100.0A
SIGC81T60SNC 600V 100.0 A
SIGC100T60R3E 600V 200.0 A
SIGC121T60NR2C 600V 150.0 A
SIGC156T60NR2C 600V 200.0 A
SIGC156T60SNR2C 600V 200.0 A
650V英飞凌IGBT芯片晶圆
SIGC04T65E 650V 6.0 A
SIGC06T65E 650V 10.0 A
SIGC06T65GE 650V 10.0 A
SIGC08T65E 650V 15.0 A
SIGC10T65E 650V 20.0 A
IGC10T65QE 650V 20.0 A
SIGC15T65E 650V 30.0 A
IGC15T65QE 650V 30.0 A
IGC19T65QE 650V 40.0 A
SIGC28T65E 650V 50.0 A
IGC28T65T8M 650V 50.0 A
IGC28T65QE 650V 50.0 A
IGC31T65QE 650V 60.0 A
SIGC39T65E 650V 75.0 A
IGC39T65QE 650V 75.0 A
IGC39T65T8M 650V 75.0 A
SIGC40T65R3E 650V 75.0 A
SIGC54T65R3E 650V 100.0 A
IGC54T65R3QE 650V 100.0 A
IGC54T65T8RM 650V 100.0 A
SIGC76T65R3E 650V 150.0 A
IGC76T65T8RM 650V 150.0 A
SIGC78T65R3E 650V 150.0 A
SIGC100T65R3E 650V 200.0 A
IGC100T65T8RM 650V 200.0 A
1200V英飞凌IGBT芯片晶圆
IGC99T120T8RQ 1200V 100.0 A
IGC07T120T8L 1200V 4.0 A
IGC11T120T8L 1200V 8.0 A
SIGC12T120E 1200V 8.0 A
SIGC12T120LE 1200V 8.0 A
IGC13T120T8L 1200V 10.0 A
IGC18T120T8L 1200V 15.0 A
IGC18T120T8Q 1200V 15.0 A
SIGC20T120E 1200V 15.0 A
SIGC20T120LE 1200V 15.0 A
IGC27T120T8L 1200V 25.0 A
IGC27T120T8Q 1200V 25.0 A
SIGC32T120R3E 1200V 25.0 A
SIGC32T120R3LE 1200V 25.0 A
IGC36T120T8L 1200V 35.0 A
SIGC41T120R3E 1200V 35.0 A
SIGC41T120R3LE 1200V 40.0 A
IGC41T120T8Q 1200V 40.0 A
IGC50T120T8RL 1200V 50.0 A
IGC50T120T8RQ 1200V 50.0 A
SIGC57T120R3E 1200V 50.0 A
SIGC57T120R3LE 1200V 50.0 A
IGC70T120T8RL 1200V 75.0 A
IGC70T120T8RM 1200V 75.0 A
IGC70T120T8RQ 1200V 75.0 A
SIGC84T120R3E 1200V 75.0 A
SIGC84T120R3LE 1200V 75.0 A
IGC99T120T8RH 1200V 100.0 A
IGC99T120T8RL 1200V 100.0 A
IGC99T120T8RM 1200V 100.0 A
SIGC109T120R3E 1200V 100.0 A
SIGC109T120R3LE 1200V 100.0 A
IGC142T120T8RH 1200V 150.0 A
IGC142T120T8RL 1200V 150.0 A
IGC142T120T8RM1200V 150.0 A
SIGC158T120R3E 1200V 150.0 A
SIGC158T120R3LE 1200V 150.0 A
IGC189T120T8RL 1200V 200.0 A
IGC193T120T8RM1200V 200.0 A
SIGC06T120CS 1200V 2.0 A
SIGC16T120C 1200V 8.0 A
SIGC16T120CL 1200V 8.0 A
SIGC16T120CS 1200V 8.0 A
SIGC25T120C 1200V 15.0 A
SIGC25T120CL 1200V 15.0 A
SIGC25T120CS 1200V 15.0 A
SIGC25T120CS2 1200V 15.0 A
SIGC42T120C 1200V 25.0 A
SIGC42T120CL 1200V 25.0 A
SIGC42T120CQ 1200V 25.0 A
SIGC42T120CS 1200V 25.0 A
SIGC42T120CS2 1200V 25.0 A
SIGC81T120R2C 1200V 50.0 A
SIGC81T120R2C L 1200V 50.0 A
SIGC81T120R2CS 1200V 50.0 A
SIGC121T120R2C 1200V 75.0 A
SIGC121T120R2CL 1200V 75.0 A
SIGC121T120R2CS 1200V 75.0 A
SIGC156T120R2C 1200V 100.0 A
SIGC156T120R2CL 1200V 100.0 A
SIGC156T120R2CS 1200V 100.0 A
SIGC223T120R2CL 1200V 150.0 A
SIGC223T120R2CS 1200V 150.0 A
1700V英飞凌IGBT芯片晶圆
SIGC42T170R3GE 1700V 29A
SIGC68T170R3E 1700V 50A
IGC89T170S8RM 1700V 75A
SIGC101T170R3E 1700V 75A
IGC114T170S8RH 1700V 100A
IGC114T170S8RM 1700V 100A
SIGC128T170R3E 1700V 100A
IGC136T170S8RH2 1700V 117.5A
SIGC158T170R3E 1700V 125A
IGC168T170S8RH 1700V 150A
IGC168T170S8RM 1700V 150A
SIGC186T170R3E 1700V 150A
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时间：2024-09-21 22:05
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:
Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型
二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率
