1rfp450三极管可以用什么代替?
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发布时间：2022-04-30 19:06
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热心网友
时间：2022-06-30 03:14
是IRFP450，首字母是I不是1，而且这是场效应管，不是三极管。可以使用24NM65N、21NM60、15NM60、STP21NM60N_08代替，代替原则是参数相当或更强。
24NM65N参数：650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET
21NM60、15NM60、STP21NM60N_08参数：600V 17A 140W 0.17Ω N-MOSFET
扩展资料：
IRFP450的参数：
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400毫欧@ 8.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：14A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2600pF @ 25V
功率-最大：190W
封装/外壳：TO-247AD
参考资料来源：百度百科-IRFP450
热心网友
时间：2022-06-30 03:14
IRFP450LCT是一种场效应管（N-MOSFET），不是三极管，具体参数如下图：
可以使用参数相当或者更强的场效应管进行代替，具体型号及参数如下：
24NM65N——650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET；
21NM60、15NM60、STP21NM60N_08——600V 17A 140W 0.17Ω N-MOSFET。
补充：
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
热心网友
时间：2022-06-30 03:15
IRFP450LC是N-MOSFET（场效应管），不是三极管。
代换的原则是：参数相当或更强。
24NM65N——650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET
21NM60、15NM60、STP21NM60N_08——600V 17A 140W 0.17Ω N-MOSFET
