场效应管 p75nf75是多少瓦3

发布网友 发布时间：2023-11-03 01:53

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热心网友 时间：2024-06-12 00:31

数据列表
ST(B,P)75NF75(FP)

产品相片
TO-220-3, TO-220AB

其它有关文件
STP75NF75 View All Specifications

标准包装
50

类别
分立半导体产品

家庭
FET - 单

系列
STripFET™ II

包装
管件

FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能
标准

漏源极电压 (Vdss)
75V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3700pF @ 25V

功率 - 最大值
300W

安装类型
通孔

封装/外壳
TO-220-3

供应商器件封装
TO-220AB

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50

类别
分立半导体产品

家庭
FET - 单

系列
STripFET™ II

包装
管件

FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能
标准

漏源极电压 (Vdss)
75V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3700pF @ 25V

功率 - 最大值
300W

安装类型
通孔

封装/外壳
TO-220-3

供应商器件封装
TO-220AB

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家庭
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系列
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包装
管件

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MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能
标准

漏源极电压 (Vdss)
75V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3700pF @ 25V

功率 - 最大值
300W

安装类型
通孔

封装/外壳
TO-220-3

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TO-220AB