怎么用vasp计算相互作用电荷

发布网友发布时间：2022-05-06 11:23

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热心网友时间：2022-06-30 07:47

VASP是采用的Berry phase方法来计算半导体和绝缘体材料的Born有效电荷。这种方法的介绍可以参考VASP手册上提到的文献。
如VASP手册上的介绍，在采用Berry phase方法来计算某个原子某个方向的Born有效电荷时，有两大步：
1) 计算离子未移动时(即平衡状态时)的极化(polarization); 2)手动移动所要计算的原子的位置，计算由原子偏离平衡态时的极化。每一大步中有包括了四个小步骤: i)自恰计算体系以得到收敛的电荷密度(CHG, CHGCAR文件)和波函数(WAVECAR); ii)计算G1方向上的电子极化; iii)计算G2方向上的电子极化; iv)计算G3方向上的电子极化。
最后从每一小步中的OUTCAR文件中找出极化各个部分的贡献: ev (电子项), bp (Berry phase项), ion (离子项)，进行简单的数值加减计算，按差分方法计算得到Born有效电荷。对每类原子的各个方向按同样的步骤进行计算处理，在计算时可根据晶体的对称性，只需要计算Born有效电荷张量的某些分量即可。