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发布时间:2022-05-06 10:21
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热心网友
时间:2022-04-20 16:20
在MML环境下绘制的原理图
1.1 MAR原理图 如图
实现MAR写操作的开关波动序列为:
由于我们在MAR的数据文本中写入的是“00”,因此在运行之初,MAR的输出信号为“00”。我们先将MAR的数据输入端的输入信号任意设置一个值,比如“AF”,即数据输入端的所有开关都置1。再将MAR读写控制端开关置1,此时,“AF”已经输入到MAR中地址为0的空间中,即“AF”替代了最初的“00”,但并没有通过输出端进行显示。最后将读写控制端信号置0,即将MAR中地址为0的内容输出,此时,MAR的输出显示为“AF”。
1.2 MDR原理图
如图
实现MDR写操作的开关波动序列为:
由于我们在MDR的数据文本中写入的是“00”,因此在运行之初,MDR的输出信号为“00”。你可以将MDR的数据输入端的输入信号任意设置一个值,比如“AF”,即数据输入端的所有开关都置1。再将MAR读写控制端开关置1,此时,“AF”已经输入到MDR中地址为0的空间中,即“AF” 替代了最初的“00”,但并没有通过输出端进行显示。最后将读写控制端信号置0,即将MDR中地址为0的内容输出,此时,MDR的输出显示为“AF”。
1.3 ROM原理图
实现ROM读操作的开关波动序列为:
对于ROM读操作,我们要先得到ROM的地址,才能从ROM中相应地址读出对应的数据。先在MAR的数据输入端的开关C1给出一个输入信号,再将MAR的读写控制端从低电平换到高电平,再换到低电平,此时,MAR数据输入端的信号已经通过MAR显示在其输出端了。由于ROM读写控制端始终为0,因此,当MAR的输出信号改变时,此时,便将ROM中地址为MAR输出信号的内容进行输出。最后,将MDR读写控制端开关C2从低电平换到高电平,再换到低电平,便将相应的数值写入MDR并通过8位LED灯进行显示。
1.4 RAM原理图
实现RAM写操作的开关波动序列为:
1、拨动MAR的数据输入端的开关给出任意一个值,比如“00000011”;
2、拨动MAR读写控制端开关C1,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,MAR的输出信号显示为“03”;
3、由于RAM读写控制端开关C3的初始状态为低电平,且由于RAM的数据文本为“00”~“FF”,此时,便将RAM中地址为“03”位的内容进行输出,即RAM的输出信号为“03”;
4、在MDR的数据输入端的开关中任意输入一个值,为了能够更好的体现RAM的功能,此时不要将输入设置为“00000000”或者“00000011”,这里我们假定输入为“00000100”;
5、拨动MDR读写控制端开关C2,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,MDR的输出信号显示为“04”;
6、最后拨动RAM读写控制端开关C3,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,便将数值“04”写入了RAM中地址“03”位中,其输出结果为“04”。
热心网友
时间:2022-04-20 17:38