晶体管图示仪怎样测试三极管
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发布时间：2022-05-02 13:39
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时间：2022-06-20 07:32
屏幕上光点位置的确定
根据晶体管的输入、输出特性可知，NPN
型管的电压
vCE
和电流
iC
均为正值，相应的特性曲线在第一象限。故测量
NPN
型晶体管前，屏幕上光点应调到屏幕的左下角。同时，基极阶梯信号和集电极扫描电压均选“＋”极性。同理，测量
PNP
型管时，光点应调到屏幕的右上角，基极阶梯信号和集电极扫描电压均应选“－”极性。
2)
主要旋钮的作用及选择
“功耗电阻”：图示仪中的功耗电阻相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在
图1.2.5
输出特性曲线
被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而*被测管的功耗。测试小功率管时，一般选该电阻值为
1
kΩ
。
“基极阶梯信号”：这部分信号是图示仪中所特有的、不同于示波器的部分。通过它给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安／级”来选择。为方便起见，一般选
10μA
／级。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级／簇”来选择，阶梯信号每簇的级数，实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
零电压”、“零电流”：是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都必须使被测管的基极处于开路状态。这时就可以将该开关设置在“零电流”档
(只有开路时，才能保证电流为零)
。当测量晶体管的击穿电流
ICES
时，必须使被测管的基、射极短路，这可以通过将该开关设置在“零电压”档来实现。
“
