gmr梯度传感器是什么?
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发布时间：2024-03-02 07:12
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时间：2024-03-02 10:37
gmr梯度传感器能用于车辆流量监控。
gmr磁场传感器即巨磁阻（gmr=giant magneto resistive）磁场传感器。它是一个集磁性薄膜，半导体集成及纳米技术为一体的高新技术产品，应用非常广泛。其技术结构套用一个数学公式：gmr传感器=磁性材料+纳米技术+半导体集成。
巨磁阻（GMR）传感器是将4个GMR结构连接成电桥，再磁屏蔽其中相对的两个使对磁不敏感，当存在外部磁场时，未受屏蔽的两个GMR结构的电阻在磁场作用下发生阻值的改变，在外部恒压源或恒流源的激励下，桥的输出产生变化，从而达到对外部磁场测量的目的。
扩展资料：
gmr效应的简介
2007年诺贝尔物理学奖分别授予来自德国于利希亥姆霍兹研究中心的彼得·格林贝格尔(peter gruenberg)和来自法国巴黎第十一大学的阿尔贝·费尔(albert fert)教授。这两位获奖者在上世纪80年代独立进行巨磁阻（gmr）研究
因相继发现巨磁阻效应而双双荣获本年度诺贝尔物理学奖。外部磁场通过巨磁阻效应可使磁性材料薄层的电阻发生巨大变化。gmr效应的发现为结构紧凑的计算机硬盘的全新读取磁头的开发铺平了道路，可将个人计算机、便携式音乐播放器（mp3播放器）和摄像机的硬盘存储容量提高至数吉字节。
gmr效应是由几纳米厚的多层金属膜的磁场产生的电阻变化导致的。简单来说，该金属膜由具备固定的稳定磁化方向（参考方向）的参考层和磁化方向由外部磁场决定（如指南针）的传感层构成。
传感层和参考层通过仅为几个原子厚的铜层隔开，从而产生gmr效应。施加的磁场和传感器参考层之间的角度决定了金属膜的电阻变化。
参考资料来源：百度百科-GMR磁场传感器-产品效应
