如下图所示的mos管的接法栅极连接单片机，是3.3V的电平，漏极接的是48V的电源，这样可以控制吗？
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发布时间：2022-05-04 01:14
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时间：2023-10-21 18:44
单片机的IO是3.3V，但您把mos的栅极电位上拉到了5V。如果单片机不是开漏输出（OD门），或者单片机IO不是5V耐受（5V Tolerance）的话，这样的接法可能烧了单片机的IO。而且就算单片机5V耐受，但IO不是OD门，栅极电位是拉不到5V的，只有3.3V。
复习一下OD门的知识吧～阎石《数字电子技术基础》第3.3.5节“其他类型的CMOS门电路”中的“二、漏极开路输出门电路（OD门）”阎石的这一章没有太细讲，反而在强调上拉电阻如何选择，工程中通常不需要这么精确的计算。不过他的书，还有童诗白的模电教材，经典在于通篇无废话，每一个词都有其含义，所以读n遍就有n!个新的感悟出来，越读越有料～OD门的好处就是可以随意地匹配输出电平。仔细读读这一节第“二”部分中的第三段，注意那两个Vdd的区别。如果单片机IO能配制成OD门的话，这样也许还好，至少不会烧IO，并且电平也确实能拉到5V。
还有，普通的功率mos管，栅极的开启电压都比较高，3.3V甚至5V都达不到。mos管不能完全开启，后果是源漏之间的电流Ids不够大，带负载可能带不动。而信号用mos管虽然开启电压低，但带负载能力又不强，还是带不动负载。
其实后边负载若是48V的话，最好考虑使用光耦，做彻底的隔离。尤其后边负载若是电动机这种感性重负载的话，单片机可能被干扰而system down。
最后，这个图不是最终的原理图吧？要是按照这个图的话，48V会短路的……
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时间：2023-10-21 18:44
单片机的IO是3.3V，但您把mos的栅极电位上拉到了5V。如果单片机不是开漏输出（OD门），或者单片机IO不是5V耐受（5V Tolerance）的话，这样的接法可能烧了单片机的IO。而且就算单片机5V耐受，但IO不是OD门，栅极电位是拉不到5V的，只有3.3V。
复习一下OD门的知识吧～阎石《数字电子技术基础》第3.3.5节“其他类型的CMOS门电路”中的“二、漏极开路输出门电路（OD门）”阎石的这一章没有太细讲，反而在强调上拉电阻如何选择，工程中通常不需要这么精确的计算。不过他的书，还有童诗白的模电教材，经典在于通篇无废话，每一个词都有其含义，所以读n遍就有n!个新的感悟出来，越读越有料～OD门的好处就是可以随意地匹配输出电平。仔细读读这一节第“二”部分中的第三段，注意那两个Vdd的区别。如果单片机IO能配制成OD门的话，这样也许还好，至少不会烧IO，并且电平也确实能拉到5V。
还有，普通的功率mos管，栅极的开启电压都比较高，3.3V甚至5V都达不到。mos管不能完全开启，后果是源漏之间的电流Ids不够大，带负载可能带不动。而信号用mos管虽然开启电压低，但带负载能力又不强，还是带不动负载。
其实后边负载若是48V的话，最好考虑使用光耦，做彻底的隔离。尤其后边负载若是电动机这种感性重负载的话，单片机可能被干扰而system down。
最后，这个图不是最终的原理图吧？要是按照这个图的话，48V会短路的……
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时间：2023-10-21 18:44
单片机的IO是3.3V，但您把mos的栅极电位上拉到了5V。如果单片机不是开漏输出（OD门），或者单片机IO不是5V耐受（5V Tolerance）的话，这样的接法可能烧了单片机的IO。而且就算单片机5V耐受，但IO不是OD门，栅极电位是拉不到5V的，只有3.3V。
复习一下OD门的知识吧～阎石《数字电子技术基础》第3.3.5节“其他类型的CMOS门电路”中的“二、漏极开路输出门电路（OD门）”阎石的这一章没有太细讲，反而在强调上拉电阻如何选择，工程中通常不需要这么精确的计算。不过他的书，还有童诗白的模电教材，经典在于通篇无废话，每一个词都有其含义，所以读n遍就有n!个新的感悟出来，越读越有料～OD门的好处就是可以随意地匹配输出电平。仔细读读这一节第“二”部分中的第三段，注意那两个Vdd的区别。如果单片机IO能配制成OD门的话，这样也许还好，至少不会烧IO，并且电平也确实能拉到5V。
还有，普通的功率mos管，栅极的开启电压都比较高，3.3V甚至5V都达不到。mos管不能完全开启，后果是源漏之间的电流Ids不够大，带负载可能带不动。而信号用mos管虽然开启电压低，但带负载能力又不强，还是带不动负载。
其实后边负载若是48V的话，最好考虑使用光耦，做彻底的隔离。尤其后边负载若是电动机这种感性重负载的话，单片机可能被干扰而system down。
最后，这个图不是最终的原理图吧？要是按照这个图的话，48V会短路的……
