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发布时间：2022-04-24 04:34
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时间：2023-07-09 22:29
C8051f020中的CIP-51拥有标准的8051程序和数据地址配置，有位于内部数据地址空间的256字节的数据RAM，有位于外部数据存储地址空间的4K字节的RAM，有64K字节的程序存储器。
1．256字节内部数据RAM
RAMC8051f020单片拥有256字节的位于内部数据地址空间的内部RAM，位于地址0x00～0xFF，用于存放程序执行过程中的各种变量及临时数据，内部RAM的组织情况如下： 图1
访问内部RAM，用汇编语言时，用MOV指令；当用C语言时候，分为以下三种情况：
1）data 直接寻址，访问低128字节的内部数据区域
2）idata 可访问内部256个字节的存储区，但是只能间接寻址，速度较直接寻址要慢；
3）bdata 访问内部可位寻址的16字节存储区。
由于内部RAM可以用一个8为地址访问，所以访问速度最快。因此，一般将频繁访问的变量存储在此空间内，但是内部数据区最多只能有256个字节（特征功能寄存器与内部RAM高128字节空间占据相同的地址空间，但是物理上是分开的）。
2．4K外部数据RAM
C8051f020片内的4K字节的RAM快可以在整个64K外部数据存储地址空间中被寻址（以4K为边界重叠）。 图2
访问外部RAM，用汇编语言时，用MOVX指令；当用C语言时候，分为以下两种情况：
1）xdata 访问外部数据存储区64K字节内的任何地址；
2）pdata 仅访问一页或256字节的外部数据存储区。
3 ．64Kflash程序存储区
C8051f020单片机的程序存储器包括64K字节的FLASH。该存储器以512字节为一个扇区，可以在系统编程，且不需要特别的外部编程电压。从0xFE00～0xFFFF的512个字节被保留，由工厂使用。还有一个位于地址0x10000～0x1007F的128字节的扇区，该扇区可以做为一个小的软件常数表使用。
除了有512个保留字节不能使用之外，还有两个字节的安全锁定字节以保护FLASH。读锁定字节的每一为控制一个大小为8K的存储区域，对应关系如图3所示。写/擦除锁定字节也一样，每一位控制一个8K的存储区域。 图3
4 ．FLASH操作
用软件对Flash编程的过程中应该注意如下几点：
①Flash存储器用MOVCA, @A+DPTR 指令读取；
②Flash存储器用MOVX@DPTR,A 指令写入；
③Flash页以512 字节分界0200h, 0400h, 依此类推；
④Flash写操作只能写入0，因此在写一个Flash字节之前包含该字节的页必须首先被擦除，使该页中 的所有位都为1；
⑤在进行Flash擦除之前，必须将PSWE 和PSEE 置1；
⑥Flash页的擦除操作是将PSWE 和PSEE 置1，并向该页512 字节中的任一字节进行写操作；
⑦含有读锁定字节和写/ 擦除锁定字节的Flash页不能由用户软件擦除，但是该页可以由用户软件写入，该页只能通过JTAG 接口擦除。
用软件对Flash进行写操作时步骤如下：
①为了避免对Flash存储器的误写，在PSWE 为1期间禁止中断；
②置位FLWE(FLSCL.0) ，以允许Flash存储器的写/ 擦除操作；
③置位PSEE(PSCTL.1) 以允许扇区擦除；
④用MOVX 指令向待擦除扇区的任何一个地址写入一个数据字节；
⑤清除PSEE ，以禁止Flash扇区擦除；
⑥置位PSWE(PSCTL.0) ，以允许写入；
⑦用MOVX 指令向刚擦除的扇区中所期望的地址写入数据字节，并重复该步直到结束（写入的字节数可以是一个字节到整个扇区的任何值）；
⑧清除PSWE ，以禁止Flash写；
⑨ 重新允许中断。
为了更改C8051f020中FLASF存储区中一个多字节数据集中的某一个字节，整个数据集必须首先被保存到一个临时的存储区；然后将扇区擦除，更新数据；最后将数据集写回到原扇区。128字节的扇区规模数据更新更加容易，可以使用内部数据RAM做为临时存储区，而不浪费程序存储空间。由于FLASH读操作是用MOVC指令实现的，因此用于读操作的FLASH指针必须是code 类型。
在对FLASH存储器进行写操作前，必须将其进行擦除。由于FLASH写操作是用MOVX指令实现的，所以用于写或擦除的FLASH指针必须是xdat a类型 本文内容根据一下资料整理：
1．《C8051F020/1/2/3混合信号ISPFLASH维控制器数据手册》 潘琢金译
2．Silicon Laboratories Application notes
3.C8051F020中Flash存储器的在线擦写方法
