发布网友 发布时间:2023-05-18 16:56
共3个回答
热心网友 时间:2023-10-05 09:13
MCS-51 单片机片内数据存储器可分为二个区: 00H~7FH 单元组成的低128B 的片内RAM区、80H ~FFH单元组成的高128B 的专用寄存器区。其中低128B的RAM区又分为: 00H~1FH 单元为工作寄存器区、20H~2FH 单元为位寻址区、30H~7FH单元为用户RAM区。
工作寄存器区可作通用寄存器用,用户RAM区可作堆栈和数据缓冲用。专用寄存器区又称特殊功能寄存器,使用80H~FFH单元。
扩展资料
存储器空间在物理结构上可划分为:MCS-51存储器是采用将程序存储器和数据存储器分开寻址的结构,其存储器空间在物理结构上可划分为如下四个空间:片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器、片外数据存储器。
MCS-51单片机的P0~P3四个I/O端口在结构上的异同以及使用时应注意的事项:MCS-51单片机的四个端口在结构上相同之处: P0~P3 都是准双向I/O 口,作输入时,必须先向相应端口的锁存器写入“1”。
不同之处;P0口的输出级与P1~P3口不相同,它无内部上拉电阻,不能提供拉电流输出,而P1~P3 则带内部上拉电阻,可以提供拉电流输出。
当P0口作通用I/O口输出使用时,需外接上拉电阻才可输出高电平;但作地址/数据总线时,不需要外接上拉电阻。P1~P3口IO输出时,均无需外接上拉电阻。
热心网友 时间:2023-10-05 09:13
片内RAM,共分三个区:
1、00H----1FH 寄存器区,32字节。
2、20H---- 2FH 位寻址区,16字节,共有128个位。
3、30H---- FFH 通用存储区,超过7FH时,只能用间接寻址。
51 系列单片机的全部存储器分布如下:
热心网友 时间:2023-10-05 09:14
细分是三个区:追答对不起我打错一个字,三是四。你是说答卷吗?
MCS-51单片机片内256B的数据存储器可分为两个区
80H---- FFH 间接寻址区,作用是存储数据
00H---- 7FH 直接寻址区,包括00H-1FH 寄存器组区,即R0-R7所在的区,以及20H---- 2FH位可寻址区,每个字节的每一位都可以直接寻址,作用是是存储数据,使用R寄存器访问且可切换组别快速便于保护数据,增加编程灵活性,位可寻址区便于处理布尔变量。
热心网友 时间:2023-10-05 09:13
MCS-51 单片机片内数据存储器可分为二个区: 00H~7FH 单元组成的低128B 的片内RAM区、80H ~FFH单元组成的高128B 的专用寄存器区。其中低128B的RAM区又分为: 00H~1FH 单元为工作寄存器区、20H~2FH 单元为位寻址区、30H~7FH单元为用户RAM区。
工作寄存器区可作通用寄存器用,用户RAM区可作堆栈和数据缓冲用。专用寄存器区又称特殊功能寄存器,使用80H~FFH单元。
扩展资料
存储器空间在物理结构上可划分为:MCS-51存储器是采用将程序存储器和数据存储器分开寻址的结构,其存储器空间在物理结构上可划分为如下四个空间:片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器、片外数据存储器。
MCS-51单片机的P0~P3四个I/O端口在结构上的异同以及使用时应注意的事项:MCS-51单片机的四个端口在结构上相同之处: P0~P3 都是准双向I/O 口,作输入时,必须先向相应端口的锁存器写入“1”。
不同之处;P0口的输出级与P1~P3口不相同,它无内部上拉电阻,不能提供拉电流输出,而P1~P3 则带内部上拉电阻,可以提供拉电流输出。
当P0口作通用I/O口输出使用时,需外接上拉电阻才可输出高电平;但作地址/数据总线时,不需要外接上拉电阻。P1~P3口IO输出时,均无需外接上拉电阻。
热心网友 时间:2023-10-05 09:13
片内RAM,共分三个区:
1、00H----1FH 寄存器区,32字节。
2、20H---- 2FH 位寻址区,16字节,共有128个位。
3、30H---- FFH 通用存储区,超过7FH时,只能用间接寻址。
51 系列单片机的全部存储器分布如下:
热心网友 时间:2023-10-05 09:14
细分是三个区:追答对不起我打错一个字,三是四。你是说答卷吗?
MCS-51单片机片内256B的数据存储器可分为两个区
80H---- FFH 间接寻址区,作用是存储数据
00H---- 7FH 直接寻址区,包括00H-1FH 寄存器组区,即R0-R7所在的区,以及20H---- 2FH位可寻址区,每个字节的每一位都可以直接寻址,作用是是存储数据,使用R寄存器访问且可切换组别快速便于保护数据,增加编程灵活性,位可寻址区便于处理布尔变量。