场效应管23n50e可以用什么代替 4108可以吗?
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发布时间：2022-04-24 02:52
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时间：2023-10-23 00:57
不可以，可以用MOS场效应管代替。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
扩展资料：
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
参考资料来源：百度百科-MOS场效应管
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时间：2023-10-23 00:58
场效应管23n50e可以用FMH23N50E为23A,500V的MOS场效应管代替，不能用4108代替。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
扩展资料：
作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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时间：2023-10-23 00:57
不可以，可以用MOS场效应管代替。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
扩展资料：
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
参考资料来源：百度百科-MOS场效应管
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时间：2023-10-23 00:58
场效应管23n50e可以用FMH23N50E为23A,500V的MOS场效应管代替，不能用4108代替。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
扩展资料：
作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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时间：2023-10-23 00:57
不可以，可以用MOS场效应管代替。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
扩展资料：
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
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时间：2023-10-23 00:57
不可以，可以用MOS场效应管代替。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
扩展资料：
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
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时间：2023-10-23 00:58
场效应管23n50e可以用FMH23N50E为23A,500V的MOS场效应管代替，不能用4108代替。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
扩展资料：
作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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时间：2023-10-23 00:58
场效应管23n50e可以用FMH23N50E为23A,500V的MOS场效应管代替，不能用4108代替。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
扩展资料：
作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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时间：2023-10-23 00:58
2SK4108为20A,500V的管子，
原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题 。
但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。
热心网友
时间：2023-10-23 00:59
==sk系列场效应管
2sk1520 500V 30A 200W 0.16Ω N-FET
2sk1522 500V 50A 250W 0.11Ω N-FET
2sk1527 500V 40A 250W 0.16Ω N-FET
2sk1544 500V 25A 200W 0.2Ω N-FET
==ir系列场效应管
IRFM460
==st系列场效应管
STP42N65M5
注意4108不是场效应管，不能代换
普通三极管 2SC4108 400V 12A 100W
热心网友
时间：2023-10-23 00:59
我们推这个产品都跟他们说是可以完全取代的 不用改线路板的。。
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时间：2023-10-23 00:58
2SK4108为20A,500V的管子，
原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题 。
但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。
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时间：2023-10-23 00:58
2SK4108为20A,500V的管子，
原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题 。
但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。
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时间：2023-10-23 00:59
==sk系列场效应管
2sk1520 500V 30A 200W 0.16Ω N-FET
2sk1522 500V 50A 250W 0.11Ω N-FET
2sk1527 500V 40A 250W 0.16Ω N-FET
2sk1544 500V 25A 200W 0.2Ω N-FET
==ir系列场效应管
IRFM460
==st系列场效应管
STP42N65M5
注意4108不是场效应管，不能代换
普通三极管 2SC4108 400V 12A 100W
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时间：2023-10-23 00:59
我们推这个产品都跟他们说是可以完全取代的 不用改线路板的。。
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时间：2023-10-23 00:59
==sk系列场效应管
2sk1520 500V 30A 200W 0.16Ω N-FET
2sk1522 500V 50A 250W 0.11Ω N-FET
2sk1527 500V 40A 250W 0.16Ω N-FET
2sk1544 500V 25A 200W 0.2Ω N-FET
==ir系列场效应管
IRFM460
==st系列场效应管
STP42N65M5
注意4108不是场效应管，不能代换
普通三极管 2SC4108 400V 12A 100W
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时间：2023-10-23 00:59
我们推这个产品都跟他们说是可以完全取代的 不用改线路板的。。
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时间：2023-10-23 00:58
2SK4108为20A,500V的管子，
原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题 。
但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。
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时间：2023-10-23 00:59
==sk系列场效应管
2sk1520 500V 30A 200W 0.16Ω N-FET
2sk1522 500V 50A 250W 0.11Ω N-FET
2sk1527 500V 40A 250W 0.16Ω N-FET
2sk1544 500V 25A 200W 0.2Ω N-FET
==ir系列场效应管
IRFM460
==st系列场效应管
STP42N65M5
注意4108不是场效应管，不能代换
普通三极管 2SC4108 400V 12A 100W
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时间：2023-10-23 00:59
我们推这个产品都跟他们说是可以完全取代的 不用改线路板的。。
