电子的有效质量公式

在立方晶体中，为了处理电导率的标量性，引入了电导率有效质量。例如在Si中，导带电子的电导率有效质量mcn与横向和纵向的有效质量相关，通过特定公式mcn = 3ml*mt*/(2ml*+mt*)给出。同样，价带空穴的电导率有效质量mcp，近似等于重空穴和轻空穴的有效质量的特定比例。在半导体如Si中，当导带底不在Bril...

等效质量公式为 [公式]，其中 [公式] 代表电子的有效质量。这种假设下，电子加速度 [公式] 直接与外部施加力有关。实际上，内部力与电子加速度成正比，意味着等效质量并非一个常数。通过分析 [公式] 图，可以求得动量与波数之间的关系为 [公式]，并得出 [公式]。进一步分析可得 [公式]，其中 [公式...

热平衡载流子浓度 = m0 * ni / (mp* * k * T)其中，m0表示电子质量，kg；mn*代表电子有效质量，kg；mp*为空穴有效质量，kg；k为玻耳兹曼常数，J/K；Eg为禁带宽度，eV；ni为本征载流子浓度，cm-3；T为绝对温度，K。对于杂质半导体，我们区分N型与P型半导体。N型半导体中的电子和P型半导体中...

- **导带底**：- 在k=0附近，将E(k)进行泰勒展开，得到导带底电子的有效质量公式。此处E(k)大于Ec，故有效质量为正。- **价带顶**：- 类似地，通过泰勒展开价带顶附近E(k)，得到价带顶电子的有效质量公式。此处E(k)小于0，故有效质量为负。- **有效质量的意义**：有效质量概括了晶格内部...

正是这个看似简化的模型，揭示了电流与电场之间深刻的联系。电流的强度与电场强度成正比，正如欧姆定律所述，电流I与电场E的关系可用公式I = neμE来表达，其中n是载流子数量，e是电子电荷，μ即为迁移率，它代表了载流子从加速到碰撞的平均时间，m*则是那个神秘的、在固体中起决定作用的有效质量。这里...

公式表示：Ft=MV′－MV0般认作用瞬间V′近似零故述公式简化Ft=－MV0（公式负号表示F、V0反向）IV称效质量.移受阻力则所质点完全偏聚表面.由于金属液体存粘度于第二相质点避免受移阻力F 补充说明：（1）般载流输运问题晶体电（或空穴）看具量P= ?k（k晶体电准量）能量E = P2/ 2m* 粒（量...

能带中的能量E(k)可以通过以下公式计算：E(k) = Ec + (ħ²/2) * [(k₁² + k₂²) / mt*] + [k₃²/ml*]。这导致了状态密度有效质量mdn*的引入，对于Si，mdn* = (s²ml * mt²)^(1/3)，s=6，mdn=1.08mo；对于...

* (Ev - E)^1/2，状态密度有效质量mdp*则为mdp* = [(m*)l^(3/2) + (m*)h^(3/2)]^(2/3)，其中m*)l和m*)h代表轻空穴和重空穴的有效质量。总结来说，一维、二维和三维自由电子气的能态密度受量子态填充规则和有效质量的影响，需要通过具体的等能面形状和有效质量计算得出。

空穴的状态密度有效质量mdp*为mdp* = [ (m*)l^(3/2) + (m*)h^(3/2) ]^(2/3)，其中(m*)l和(m*)h分别代表轻空穴和重空穴的有效质量，Si中的mdp=0.59mo，Ge中的mdp=0.37mo。总的来说，三维自由电子的能态密度与能量的平方根成正比，但二维自由电子的能态密度则与能量无关。这...

一维、二维和三维自由电子气的能态密度D可以通过计算得出，其基础公式为D=4π*(2m/h^3)^(3/2)*e^(1/2)，其中m是电子质量，h是普朗克常数。在0k时，电子从能量为0的开始填充，直到达到一个最大能量μ(0)，这个过程中的粒子数可通过积分得到，进而计算内能U。内能的三分之二对应于体积V下的...