发布网友 发布时间:2022-06-23 16:43
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好二三四 时间:2022-06-23 21:04
igbt饱和压降是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏。
一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的。
热心网友 时间:2023-09-23 08:33
正常工作时是饱和,退饱和就是退出饱和区。IGBT发生桥臂直通短路后,Ic快速上升,上升到一定的数值后不再增加(跟芯片类型和Vge有关,Vge=15V时,一般为4In),然后Vce快速上升到直流电压,这就是退出饱和区进入线性区,这个时候的损耗很大热心网友 时间:2023-09-23 08:34
IGBT开通时压降很低,且随集电极电流变化而微弱的变化,这就是饱和开通;退饱和是IGBT进入线性区,集电极电流达到4倍以上的某一值,不在上升,这个值就是退饱和点,这时C、E电压迅速升高至母线电压,门极电压与集电极电流呈线性关系;IGBT退饱和的标志就是C、E电压由饱和压降升高至母线电压。