半导体器件物理

发布网友发布时间：2022-06-12 22:52

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热心网友时间：2023-09-03 04:54

当尺寸缩小时，引起阈值电压下降的主要原因是“短沟道效应”——电荷电荷共享所致。
其他引起阈值电压下降的因素就是温度的升高，但这不管尺寸是否较短，都是有影响的。
至于窄沟道效应，将要引起阈值电压增大（边缘电场所致），而不是降低。
DIBL效应是导致输出伏安特性不饱和的一个原因，但一般并不影响阈值电压。

热心网友时间：2023-09-03 04:54

1 源漏电荷的共享
2 漏致势垒降低效应也就是DIBL。用来说明V（DS）增加引起的VT下降的现象
当漏结加较大电压时，漏结电场向源区扩展，使源PN结的势垒降低，从源注入沟道的电子增加，导致漏电流增加，该过程称为DIBL效应。
3还有一个是次表面穿通这个老师没讲呵呵