空穴型半导体如何产生霍尔效应?

发布网友发布时间：2022-06-09 14:14

共3个回答

热心网友时间：2023-10-08 21:38

你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同，但产生的电势高低就相反了。所以，半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了。N型半导体的载流子是电子，P型半导体的载流子是空穴（等效于是正电荷定向移动），所以就会方向相反了。补充说明一下，空穴指半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。你想啊，电子移走后，剩下的实体就是带正电荷的了，所以，必须把它看作是带正电荷的实体定向移动。

热心网友时间：2023-10-08 21:38

看了你的叙述，发现你搞错了空穴的意义，这空穴不是指化学中晶体里原子的空缺，而是指没有电子的电子轨道。比如原子A的一个电子跳到原子B的空轨道上去了，那么原子A便出现了一个空轨道，而原子B的空轨道消失了，所以我们可以说电子从A到B，也可以说空穴从B到A，这两种说法是等效的。现在楼主明白了吧，电子运动方向和空穴是正好相反的，其实本质上受洛伦兹力作用的还是电子，只不过我们可以把空穴想像成是正电荷罢了。

热心网友时间：2023-10-08 21:39

磁场造成导体中自由电子运动,使导体两端产生电势差，设产生的场强为E,则当Bqv=qE时电子不再偏转。