发布网友 发布时间:2022-06-21 06:45
共2个回答
热心网友 时间:2024-11-14 17:07
这个问题比较复杂,IGBT还分为Trench型和Planar型(平面型)。你问的是栅极下面,应该是指平面型IGBT。原胞区栅极下面既有N型也有P型,P型区在栅极加正电压的时候会反型,形成反型沟道;N型区位于两个P型区之间,是JFET区,此区的大小影响IGBT的Bv和Vcesat。见图。
热心网友 时间:2024-11-14 17:08
栅下面是N-漂移区也就是N区。边缘的部分是沟道区,有N也有P